電漿原子層沉積設(shè)備 返回列表頁

高k值之氧化物。

OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

微機(jī)電系統(tǒng)。

納米電子學(xué)。

納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。

光學(xué)薄膜。

薄膜封裝技術(shù)。

鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。

通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。

較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。

遠(yuǎn)程等離子體電漿源。

前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。

快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時間為10毫秒。

通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。

材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

橢圓偏振光譜儀。

高真空傳送系統(tǒng)。

高k值之氧化物。

OLED和矽太陽能電池的鈍化層。

微機(jī)電系統(tǒng)。

納米電子學(xué)。

納米孔結(jié)構(gòu)薄膜。

光學(xué)薄膜。

薄膜封裝技術(shù)。

鋁腔或者不銹鋼腔體，其佔地面積小，可縮短製程時間。

通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)300mm晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±1％。

較高的深寬比和複雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積。

遠(yuǎn)程等離子體電漿源。

前驅(qū)物材料可多達(dá)6種並可分別加熱到200°C。

快速脈衝的氣體輸送閥，反應(yīng)時間為10毫秒。

通過穩(wěn)定的溫度控制，將基板載盤加熱到800°C。

材料：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2 , TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt…等等。

可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

橢圓偏振光譜儀。

高真空傳送系統(tǒng)。