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當前位置:北京瑞科中儀科技有限公司>>掃描電子顯微鏡>> 賽默飛實驗室設備
參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌FEI/賽默飛
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地北京市
更新時間:2024-10-10 13:36:47瀏覽次數(shù):165次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 300萬-400萬 |
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應用領域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥 |
賽默飛實驗室設備介紹:
默飛世爾科技的 Talos™ F200X 掃描/透射電子顯微 鏡(S/TEM)提供速,納米材料多維定 量表征。由于配備了多種創(chuàng)新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos™ F200X 是學術、政府和工業(yè) 等 領域進行高級研究與分析的理想選擇。
高分辨圖像數(shù)據(jù)質(zhì)量更好:
賽默飛世爾科技的 Talos™ F200X S/TEM 融合了高分辨 率 STEM 和 TEM 成像,行業(yè) X 射線能量色散譜(EDS) 信號檢測,以及通過成分面掃實現(xiàn)三維化學表征等功能。利用 智能掃描引擎、基于多個STEM 探測器的四通道合并技術,以 及微分相位襯度(DPC)成像技術,賽默飛世爾科技 Velox™ S/ TEM 控制軟件顯著地改善 S/TEM 成像質(zhì)量,可以更好地分析 電磁結(jié)構(gòu),并實行快速、準確的 EDS 數(shù)據(jù)處理及定量分析。
賽默飛世爾科技的高亮度 X 場發(fā)射電子槍可以在提供高達標準 肖特基場發(fā)射電子槍五倍束流的同時保持較小的會聚角。用戶 可以獲得高信噪比及STEM、EDS 圖像分辨率和更多高 分辨 TEM應用。此外,X 場發(fā)射電子槍所具有的高穩(wěn)定性及使 用壽命長等特點使其具有更高的成像效率。
顯示范圍更廣、獲取圖像速度更快Talos™ 快速 D/TEM 成像支持 高分辨率以及原位動態(tài)成像。賽默飛世爾科技的 Ceta 16M™ 相 機的視場范圍更大,圖像采集速率可高達每秒 25 幀。同時壓電 樣品臺可以確保高靈敏度,無漂移成像及精確樣品導航。因此 Talos™ 在節(jié)約用戶時間的同時可以采集更多樣品數(shù)據(jù)。
賽默飛Talos™ F200X掃描/透射電子顯微鏡加快納米尺度范圍內(nèi)分析解決問題的速度。
Talos™ F200X 采用賽默飛世爾科技保護的Super-X™ 集成 EDS 系統(tǒng),它配備了4 個硅漂移 X 射線探測器 (SDD),具有 靈敏度,每秒可收集高達 105 幅能譜。通過 Super-X™ 與 A-TWIN 物鏡集成,Talos™ F200X 限度地提高了 X 射線收 集效率,同時達到給定束流下(即使對低強度 EDS 信號)的理 想輸出計數(shù)率。
賽默飛實驗室設備主要優(yōu)勢:
提供更優(yōu)質(zhì)的圖像: 同時進行多重信號探測的高效率 STEM 成像技術為高質(zhì)量的圖像提供了更好的圖像對比度
快速獲取化學成分數(shù)據(jù):快速,精確定量 的 EDS 分析技術以 揭 示納米級成分細節(jié)。
更多應用空間:利用專用的各種原位樣品桿進行原位動態(tài)實驗讓研究更輕松。
Talos™ 采用用戶友好的數(shù)字界面和人體工學設計,允許多名科學家訪問圖像和分析工作流程??焖賵D像采集與簡單易用的操作平臺相結(jié)合,即使是經(jīng)驗不豐富的操作員也可以快速收集結(jié)果。使用全程遙控操作,可以提高使用的便利度并增強環(huán)境穩(wěn)定性。為了保持生產(chǎn)率,Talos™ 還配備了新的狀況監(jiān)視器, 以便收集重要的儀器參數(shù),便于遠程診斷和支持。
賽默飛Talos™ F200X掃描/透射電子顯微鏡特征:
• 領域光學性能:恒定功率 A-TWIN 物鏡。
• 易用性:快速、簡單的操作切換,可用于多用戶環(huán)境。
• 超穩(wěn)定平臺:恒定功率物鏡、壓電樣品臺、可靠的系統(tǒng)外殼和 遙控操作確保的穩(wěn)定性。
• SmartCam 相機:數(shù)字搜索和查看相機可以提高所有應用 的處理能力,并可以在日光下操作。
• 集成的快速探測器:Ceta 16M 像素 CMOS 相機可提 供較大的視場和很高的讀取速度 (25 fps @ 512×512)。
• 全程遙控操作:自動光闌系統(tǒng)與 Ceta 相機相結(jié)合,支持 全程遙控操作。
• 提高分析能力:Talos™ 利用 EDS 三維成像技術將化學成分分 析能力從二維擴展到三維 。
安裝要求:
詳細數(shù)據(jù),請參考預裝指南。
Talos F200X | |
X-FEG 亮度 | 1.8 ×109 A/cm2 srad (@200kV) |
總束電流 | > 50nA |
探針電流 | 1.5 nA @ 1 nm probe (200 kV) |
Super-X EDS 系統(tǒng) | 4 SDD 對稱,無窗設計,遮板保護 |
能量分辨率 | ≤136 eV for Mn-K“ and 10 kcps (輸出) |
EDS 快速面掃 | 像素駐留時間 低至 10 μs |
A-Twin | |
STEM HAADF 分辨率 | 0.16 nm |
EDX 立體角 | 0.9 srad |
TEM 信息分辨率 | 0.12 nm |
衍射角 | 24? |
雙傾桿傾轉(zhuǎn)角 | ±35° alpha tilt / ±30° beta tilt |
測角器(樣品臺)傾轉(zhuǎn)角 | ±90? |
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