基于SUSS MicroTec的光刻機(jī)經(jīng)典設(shè)計(jì)，MA100/150e Gen2提供了工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計(jì)快速投入市場(chǎng)，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達(dá)每小時(shí)145片。

MA100/150e Gen2針對(duì)上至4英寸的小尺寸晶圓片進(jìn)行了特別優(yōu)化設(shè)計(jì)。系統(tǒng)可以穩(wěn)定地達(dá)到優(yōu)于0.7µm的對(duì)準(zhǔn)精度（直接對(duì)準(zhǔn)）。選配的底部對(duì)準(zhǔn)功能（BSA），對(duì)準(zhǔn)精確度優(yōu)于±1.5 µm。MA100/150e的對(duì)準(zhǔn)單元針對(duì)LED制造工藝要求進(jìn)行了特別調(diào)校，透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得好的對(duì)比度。

將一個(gè)已形成結(jié)構(gòu)的掩模與圓晶對(duì)齊，然后將掩模與圓晶的距離縮得非常小（因此又叫“接近式光刻"）。 在曝光過(guò)程中，掩模結(jié)構(gòu)的影子被轉(zhuǎn)移到圓晶上。 掩模于圓晶之間距離的精度以及曝光鏡頭系統(tǒng)的質(zhì)量，一起決定了曝光結(jié)果的質(zhì)量。

該方法因?yàn)樗俣瓤欤瑧?yīng)用靈活，從而成為微結(jié)構(gòu)生產(chǎn)具有成本效益的方法，它能生產(chǎn)出最小4微米的微結(jié)構(gòu)。 接觸式曝光能達(dá)到亞微米級(jí)別的分辨率。 典型的應(yīng)用范圍包括圓晶級(jí)芯片尺寸封裝、倒裝芯片封裝、凸點(diǎn)、微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）、LED和電力設(shè)備等領(lǐng)域。 這些系統(tǒng)被應(yīng)用到了大規(guī)模生產(chǎn)的以及工業(yè)研究領(lǐng)域中。