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【高斯摩分享】什么是鐵電存儲(chǔ)器?

2025-7-18  閱讀(48)

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鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)是一種可讀寫的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(RAM:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它通過施加電壓使鐵電電容器極化,并沿殘余極化存儲(chǔ)器的方向存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)會(huì)丟失其內(nèi)容的存儲(chǔ)器稱為易失性存儲(chǔ)器,而不會(huì)丟失其內(nèi)容的存儲(chǔ)器稱為非易失性存儲(chǔ)器。 RAM的主要類型是SRAM(統(tǒng)計(jì)RAM)和DRAM(動(dòng)態(tài)RAM),都是易失性存儲(chǔ)器,但鐵電存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器。

鐵電存儲(chǔ)器的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速運(yùn)行、低功耗、高重寫次數(shù)的特點(diǎn),非常適合實(shí)時(shí)頻繁重寫數(shù)據(jù)的應(yīng)用。因此,作為獨(dú)立的存儲(chǔ)芯片,它被廣泛應(yīng)用于IC卡、射頻標(biāo)簽、電力和燃?xì)庵悄軆x表、行車記錄儀、醫(yī)療監(jiān)視器、POS、多功能設(shè)備計(jì)數(shù)器和工業(yè)機(jī)器人等領(lǐng)域。

此外,通過將鐵電存儲(chǔ)器納入微控制器中,與配備閃存或EEPROM的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,可以實(shí)現(xiàn)更快的操作和更低的功耗,因此也有望應(yīng)用于通用微控制器 。

鐵電存儲(chǔ)器原理

鐵電存儲(chǔ)器具有即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的優(yōu)點(diǎn),并且功耗低、寫入速度快、保證數(shù)據(jù)重寫次數(shù)高。

1. 寫入數(shù)據(jù)

寫入數(shù)據(jù)時(shí),字線置高,晶體管導(dǎo)通,驅(qū)動(dòng)位線和板線,使鐵電電容極化。如果位線電位是電源電壓(Vcc)并且板線電位是0V,則寫入數(shù)據(jù)“1",如果位線電位是0V并且板線電位是Vcc,則寫入數(shù)據(jù)“0" "這樣寫道。

2. 加載數(shù)據(jù)

讀取數(shù)據(jù)時(shí),將位線設(shè)置為0V后,向字線施加等于Vcc加上晶體管閾值電壓的電壓,使晶體管導(dǎo)通,并將板線電位從0V升高到Vcc。當(dāng)數(shù)據(jù)“1"存儲(chǔ)在電容器中時(shí),由于極化反轉(zhuǎn)而發(fā)生大量電荷轉(zhuǎn)移,并且位線電位顯著增加。

當(dāng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)“0"時(shí),不會(huì)發(fā)生極化反轉(zhuǎn)并且位線電位的變化很小。連接到位線的感測放大器感測該電勢差并讀取數(shù)據(jù)。

除了1T1C型之外,還有一種稱為2T2C型的鐵電存儲(chǔ)器。 2T2C型具有使用兩個(gè)1T1C型存儲(chǔ)單元作為基本存儲(chǔ)單元的配置。通過將成對(duì)的鐵電電容器沿不同方向極化以增加讀出期間的電位差,可以提高存儲(chǔ)器讀出精度。

另外,在鐵電存儲(chǔ)器中,讀取數(shù)據(jù)“1"后,數(shù)據(jù)被破壞,電容器中的數(shù)據(jù)變?yōu)椤?"。因此,讀取數(shù)據(jù)后,需要將板線電位從Vcc變?yōu)?V,重新寫入數(shù)據(jù)。

鐵電存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)

鐵電存儲(chǔ)器一般采用一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器的組合作為其基本存儲(chǔ)單元。這種類型的鐵電存儲(chǔ)器稱為1T1C型,其結(jié)構(gòu)與DRAM類似。

與DRAM不同的是,鐵電存儲(chǔ)器采用PZT(鋯鈦酸鉛)、SBT(鉭酸鍶鉍)等鐵電電容,而DRAM結(jié)構(gòu)中的字線和位線還需要板線。

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