Aston™ 質(zhì)譜儀 ALD 工藝控制的原位計量

上海伯東日本 Atonarp Aston™ 質(zhì)譜儀 ALD 工藝控制的原位計量
原子層沉積 ALD 是一種廣泛且越來越多地用于*半導(dǎo)體制造存儲器（3D-NAND 和新興的堆疊式 DRAM ）和*邏輯制程（例如全環(huán)繞柵極）的工藝.這些工藝的特點是需要控制幾十個分子厚的薄膜層, 通常測量只有幾十埃（1?=1x10-10m）.

使用 ALD 可以沉積多種材料, 包括氧化物, 氮化物和金屬. ALD 工藝被廣泛使用, 因為它提供了超薄, 高度可控的單層材料, 這些材料本質(zhì)上是保形和無針孔的. 從 2020 年到 2025 年, ALD 市場預(yù)計將以 16%-20% 的復(fù)合年增長率增長（來源: ASM）.

上海伯東 Aston™ 質(zhì)譜分析儀是一款快速, 強大的化學特異性氣體質(zhì)譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在這些非等離子體（“l(fā)ights-off”）過程中提供原位計量和控制. 它可以實現(xiàn)快速, 化學特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實時數(shù)據(jù).

上海伯東日本 Aston™ 質(zhì)譜儀提供“l(fā)ights-out” ALD 工藝的原位計量解決方案
為實現(xiàn) ALD 工藝監(jiān)測和控制, 需要一種高速化學特定量化計量解決方案, 該解決方案可以處理苛刻的工藝氣體, 例如鹽酸或氫氟酸副產(chǎn)物, 并且可以處理在過程中可能在腔室表面形成的冷凝顆粒.

計量解決方案需要量化存在的氣體, 以便在多個操作階段之間實現(xiàn)準確, 快速的轉(zhuǎn)換: 前體氣體注入, 氣體吹掃, 反應(yīng)氣體注入和副產(chǎn)品氣體去除. 通常, 每個完整的周期只需幾秒鐘, 因此計量解決方案需要以高采樣率和靈敏度實時工作.

然而, 大多數(shù) ALD 工藝沒有等離子體或使用弱的遠程等離子體源. 這意味著諸如光學發(fā)射光譜 OES 等傳統(tǒng)的原位計量技術(shù)在黑暗中迷失.由于沒有強等離子源使其能夠運行, 因此由于信噪比低或根本沒有信號, 它們無法提供所需的信息.

如果沒有原位計量, 這些工藝步驟轉(zhuǎn)換通常會運行固定的持續(xù)時間, 這會導(dǎo)致處理效率低下, 因為需要在步驟之間留出足夠的余量以確保前體和反應(yīng)氣體不會無意中混合到腔室中. 在沒有計量的情況下運行 ALD 工藝也會面臨嚴重的生產(chǎn)線產(chǎn)量損失或工藝偏差的風險, 例如, 如果其中一種反應(yīng)氣體濃度波動高或低.

上海伯東 Aston™ 質(zhì)譜儀可在這些非等離子體（“l(fā)ights-off”）過程中提供原位計量和控制. 它可以實現(xiàn)快速, 化學特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實時數(shù)據(jù).

Atonarp  Aston™ 技術(shù)參數(shù)

Atonarp Aston™ 質(zhì)譜儀優(yōu)點
1. 耐腐蝕性氣體
2. 抗冷凝
3. 實時, 可操作的數(shù)據(jù)
4. 云連接就緒
5. 無需等離子體
6. 功能: 穩(wěn)定性, 可重復(fù)性, 傳感器壽命, 質(zhì)量范圍, 分辨率, 最小可檢測分壓, 最小檢測極限 PP,靈敏度 ppb, 檢測速率.

Atonarp Aston™ 質(zhì)譜儀半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用
1. 介電蝕刻: Dielectric Etch
2. 金屬蝕刻: Metal Etch EPD
3. CVD 監(jiān)測和 EPD: CVD Monitoring and EPD
4. 腔室清潔 EPD: Chamber Clean EPD
5. 腔室指紋: Chamber Fingerprinting
6. 腔室匹配: Chamber Matching
7. 高縱橫比蝕刻: High Aspect Ratio Etch
8. 小開口面積 <0.3% 蝕刻: Small Open Area <0.3% Etch
9. ALD
10. ALE

若您需要進一步的了解 Atonarp  Aston™ 在線質(zhì)譜分析儀詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 羅先生