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KRi 離子源應(yīng)用于藍(lán)玻璃 AR工藝

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藍(lán)玻璃離子源考夫曼離子源

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上海伯東是德國 Pfeiffer  真空設(shè)備, 美國  KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機(jī), 比利時(shí) Europlasma 等離子表面處理機(jī) 和美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備等進(jìn)口品牌代理商 .我們真誠期待與您的合作!




質(zhì)譜分析儀,氦質(zhì)譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

供貨周期 一個(gè)月以上

KRi 離子源應(yīng)用于藍(lán)玻璃 AR 工藝
配備 800萬或以上像素的手機(jī)都基本內(nèi)嵌藍(lán)玻璃濾光片的攝像頭. 藍(lán)玻璃濾光片通過 AR Coating 的鍍膜, 可以增加透光率和反射紅外光. 光線在透過不同介質(zhì)時(shí)會(huì)產(chǎn)生折射和反射, 當(dāng)加上單面 AR Coating 后, 濾光片會(huì)提升3~5%的透光率, 讓圖像更清晰且讓濾光片不容易起霧. 上海伯東協(xié)助某從事光學(xué)玻璃鍍膜機(jī)生產(chǎn)的客戶, 在光學(xué)鏡頭材料藍(lán)玻璃 AR工藝方面實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破!

經(jīng)過推薦客戶采用光學(xué)鍍膜機(jī)加裝美國進(jìn)口 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 在離子清洗, 輔助沉積時(shí), 提高藍(lán)玻璃的薄膜 / 基層物的附著性和硬度, 減少吸收殘余氣體的污染物和薄膜應(yīng)力. 上海伯東美國 KRi 大尺寸射頻離子源 RFICP 380, 利用高均勻性的離子分布及高穩(wěn)定的離子能量成功搭配于 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 解決了在藍(lán)玻璃上無法達(dá)到高質(zhì)量鍍膜要求的問題, 同時(shí)也提升了企業(yè)生產(chǎn)效能.

應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積
應(yīng)用領(lǐng)域: 光學(xué)鏡頭
薄膜工藝: 藍(lán)玻璃鍍 AR增透膜
產(chǎn)品類別: 濾光片
鍍膜設(shè)備: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國 KRi 射頻離子源 RFICP 380
測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試
射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

射頻離子源樹脂鏡片高性能 AR 工藝

上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長!  射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

KRi 射頻離子源


美國 KRi RFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射


流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRi 射頻離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生




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