光學(xué)紅外顯微成像技術(shù),讓半導(dǎo)體元件微納尺寸失效分析更精準(zhǔn)!
紅外光譜可通過(guò)提供分子鍵位的信息,直接識(shí)別官能團(tuán),是表征微電子器件中失效分析和有機(jī)污染分析的常見(jiàn)工具。但紅外的實(shí)際空間分辨率在5 ~ 20 μm之間,小于10 μm的污染和失效微區(qū)將無(wú)法進(jìn)行有效解析,嚴(yán)重限制了其在微尺寸樣品中的實(shí)用性。常用的FTIR通常只能分析尺寸大于30 μm的樣品。反射和衰減全反射模式(ATR)的光譜會(huì)因失效微電子元件在微米尺度上的粗糙性出現(xiàn)偽影,這些偽影將導(dǎo)致波段失真,降低了準(zhǔn)確識(shí)別未知物的可能性。同時(shí),ATR模式需要與樣品緊密接觸,也會(huì)引發(fā)樣品的損傷和交叉污染。作為紅外光譜的可行替代方案,拉曼光譜為反射模式下的化學(xué)光譜收集提供了一種補(bǔ)充技術(shù)。但是拉曼散射的光譜靈敏度較低,導(dǎo)致相對(duì)較弱的拉曼信號(hào)(表1)。更困難的是,一些彩色標(biāo)本常攜帶強(qiáng)熒光,從而掩蓋了原本很弱的拉曼位移信號(hào)。雖然電子束技術(shù),如掃描電子顯微鏡/能量色散x射線(xiàn)能譜(SEM/EDX),透射電子顯微鏡/電子能量損失能譜(TEM/EELS)和飛行時(shí)間次級(jí)離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)提供了半定量元素分析的納米尺度空間分辨率,但它們?cè)谧R(shí)別有機(jī)材料方面相當(dāng)有限。
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的限制,美國(guó)PSC公司研發(fā)推出非接觸亞微米分辨紅外拉曼同步測(cè)量系統(tǒng)——mIRage,該系統(tǒng)采用光學(xué)光熱誘導(dǎo)共振(O-PTIR)技術(shù),將分辨提升至500 nm,可在不接觸樣品的情況下進(jìn)行無(wú)損無(wú)污染檢測(cè),還可同時(shí)收集紅外和拉曼光譜,提供互補(bǔ)的關(guān)鍵信息,從而有效分析有機(jī)和無(wú)機(jī)材料。本文將展示亞微米光學(xué)光熱紅外光譜(O-PTIR)在半導(dǎo)體元件失效分析中的化學(xué)識(shí)別能力,主要涉及1)填充強(qiáng)紅外吸收劑的5 μm窄帶;2)反射性差的樣品表面缺陷。
表1. O-PTIR、Raman和FTIR的對(duì)比
圖1. O-PTIR的工作原理和O-PTIR光譜的形成。
圖2. 亞微米O-PTIR和同步拉曼微光譜的示意圖。
除上述優(yōu)勢(shì)外,亞微米光學(xué)光熱紅外光譜(O-PTIR)還可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)65飛克(0.065 pg皮克)的質(zhì)量靈敏度,相當(dāng)于反射模式下直徑500 nm的聚甲基丙烯酸甲酯球(圖3)。這與典型的FTIR質(zhì)量靈敏度為100 pg的量級(jí)形成鮮明對(duì)比。O-PTIR振幅與材料的紅外吸收系數(shù)成正比,擺脫了銳邊和自熒光的光學(xué)干擾。因此,O-PTIR光譜與傳統(tǒng)的FTIR光譜都可以直接搜索商用紅外數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行匹配比對(duì)。O-PTIR的特性對(duì)于以前單獨(dú)使用FTIR或拉曼都無(wú)法實(shí)現(xiàn)探測(cè)的亞微尺寸的污染點(diǎn)起著重要作用。
圖3. 單個(gè)500 nm聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球在CaF2上的亞微米O-PTIR和拉曼光譜。
案例分享
1.片式電解電容帽裂紋失效
多層陶瓷電容器(MLCCs)廣泛應(yīng)用于電子電路中,用于解耦電源,濾波輸入信號(hào)的噪聲,抑制噪聲的產(chǎn)生和控制電路的頻率響應(yīng)。其最近的供應(yīng)鏈緊張以及在印刷電路板(PCB)過(guò)度彎曲時(shí)容易開(kāi)裂的問(wèn)題促進(jìn)了電解電容帽(E-Caps)等替代品的使用。然而,E-Caps的可靠性也需要進(jìn)一步研究。
經(jīng)過(guò)溫濕度可靠性循環(huán)試驗(yàn),印刷電路板(PCB)板上的電解電容帽(E-Cap)出現(xiàn)故障。一項(xiàng)由2個(gè)品牌的E-Cap,品牌A和品牌B組成的研究表明,與E-Cap品牌A相比,使用E-Cap B的PCB板機(jī)械故障率更高。
為了了解裂紋出現(xiàn)的根本原因,在濕度可靠性試驗(yàn)結(jié)束時(shí),對(duì)E-Cap的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對(duì)比研究。通過(guò)SEM(圖4)和EDX對(duì)E-Cap品牌A和B進(jìn)行機(jī)械截面分析。E-Cap品牌B觀(guān)察到多個(gè)裂紋以及異常且不均勻的聚合物層。銀/聚合物界面分層表明聚合物可能存在問(wèn)題。
圖4. (A) 機(jī)械截面E-Cap A的SEM圖像,無(wú)可見(jiàn)裂紋;(B, C) 有裂紋的E-Cap B,聚合物層異常。
圖5. E-Cap A的光學(xué)圖像并分析了O-PTIR和拉曼光譜。
與圖7中傳統(tǒng)的FTIR技術(shù)相比,亞微米O-PTIR光譜和拉曼光譜可以提供電子電容器組件中介質(zhì)的光譜細(xì)節(jié),這些介質(zhì)具有重要的寬紅外吸收基線(xiàn)。對(duì)于未開(kāi)裂的E-Cap 品牌A, O-PTIR光譜表明它可能與聚(苯)衍生物一致。相應(yīng)的拉曼光譜表明,它可能含有石墨(R1574和R1355 cm-1),如圖5所示。在圖6中,開(kāi)裂的E-Cap B的O-PTIR光譜顯示在1100 cm-1處有局部變化,表明添加了聚乙二醇(PEG)衍生物以提高聚合物的導(dǎo)電性。同時(shí)拉曼光譜與聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT:PSS)一致。O-PTIR的明確結(jié)果表明,這兩種E-Cap本質(zhì)上是由不同的聚合物制成的,這可能導(dǎo)致了品牌B在溫濕度可靠性測(cè)試中觀(guān)察到的失效。
圖6. 對(duì)E-Cap B的光學(xué)圖像進(jìn)行了O-PTIR和拉曼光譜分析。
圖7.對(duì)E-Cap A和B的光學(xué)圖像進(jìn)行常規(guī)FTIR分析。
亞微米有效光斑尺寸使紅外光譜數(shù)據(jù)能夠以反射模式從粗糙、反射性差的采樣區(qū)域內(nèi)的微小平面區(qū)域收集。因此,證明了O-PTIR技術(shù)對(duì)樣品的高兼容度。
2.有蓋封裝中的底膠蠕變
該案例在對(duì)有蓋封裝進(jìn)行等離子清洗的過(guò)程中,研究了底膠蠕變。底膠蠕變是指硅模具背面金屬化(BSM)邊緣上的一層薄底填充樹(shù)脂溢出,BSM的條件對(duì)于散熱片和模具之間的熱界面材料(TIM)的粘附至關(guān)重要。
對(duì)帶蓋樣品進(jìn)行機(jī)械切面,并通過(guò)SEM和EDX進(jìn)行檢測(cè)。從截面樣品的掃描電鏡圖像(圖8)可以觀(guān)察到BSM模具和銦熱界面材料(TIM)之間有一中間層。中間層的EDX分析表明是以碳元素為主。
圖8. 在BSM和銦TIM界面之間有一層額外的材料(底部,蠕變)的樣品截面(頂部,正常)的SEM圖像及其相應(yīng)的EDX結(jié)果。
研究者需進(jìn)一步明確該中間層是否為底膠蠕變。由于樣品界面和中間層的表面粗糙且很薄,傳統(tǒng)的FTIR分析無(wú)法實(shí)現(xiàn)。圖9中的O-PTIR圖像清楚地顯示中間層包含兩層,其中頂層由環(huán)氧樹(shù)脂組成,這是底膠中典型的有機(jī)成分,底層由羧酸鹽組成,與熱解纖維素來(lái)源一致。
圖9. 對(duì)帶蓋樣品的截面分析進(jìn)行光學(xué)成像、進(jìn)行O-PTIR光譜和O-PTIR成像分析。
頂層的光譜分析與環(huán)氧樹(shù)脂一致,強(qiáng)基線(xiàn)表明填充了導(dǎo)電材料。環(huán)氧基團(tuán)與底膠中的有機(jī)成分保持一致。然而,這些光譜未發(fā)現(xiàn)SiO2在1200-900 cm-1之間的紅外吸收特征峰。光譜分析表明,由于具有較強(qiáng)的非零吸收基線(xiàn),局部區(qū)域與富碳羧酸鹽具有較好的一致性。O-PTIR光譜和成像分析表明,在銦TIM層和BSM層之間的5 μm間隙中至少存在兩個(gè)化學(xué)性質(zhì)不同的層。如圖10所示,無(wú)論是常規(guī)FTIR還是拉曼顯微鏡,都很難對(duì)夾在5 μm間隙中且充滿(mǎn)紅外強(qiáng)吸收物質(zhì)的兩個(gè)金屬層進(jìn)行精確定位及化學(xué)分析。
圖10. 常規(guī)FTIR用于分析帶蓋樣品截面區(qū)域,(上) 光學(xué)圖像及其(下)相應(yīng)紅外光譜。
結(jié)論
亞微米空間分辨率O-PTIR光譜克服了傳統(tǒng)FTIR顯微鏡靈敏度低及拉曼光譜用于半導(dǎo)體元件失效分析的熒光問(wèn)題。通過(guò)本文提出的兩個(gè)案例,O-PTIR可以分析并提供材料微區(qū)的紅外光譜數(shù)據(jù)。首先解決的問(wèn)題涉及電子電容器中粗糙和狹窄(~ 5 μ m)介電層的低反射采樣區(qū)域,這些介電層具有強(qiáng)紅外吸收特征。其次,盡管底膠蠕變固有的窄間隙寬度和周邊存在高度散射特征,OPTIR仍可以在沒(méi)有分散偽影的情況下揭示其復(fù)雜的化學(xué)性質(zhì)。通過(guò)反射模式收集無(wú)失真紅外光譜。O-PTIR的多功能性提供了材料化學(xué)成分的精確識(shí)別的新思路,大大提高了復(fù)雜樣品失效分析的能力。
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