清洗機(jī)的使用為了我們產(chǎn)品更好更優(yōu),那么大家一定想要研究一個(gè)比較重要的問(wèn)題,就是如何提高SiC清洗機(jī)的清洗效率。畢竟越高效的一個(gè)過(guò)程,可以給我們帶來(lái)的是更大更好的提高不是嗎?
提高SiC清洗機(jī)的清洗效率方法
優(yōu)化清洗工藝:
基于Zeta電位的優(yōu)化:由于碳化硅(SiC)是極性半導(dǎo)體,表面電荷容易吸附顆粒。研究表明,在SC1清洗液中,SiC外延片和顆粒均呈現(xiàn)負(fù)Zeta電位,存在靜電斥力;而在SC2清洗溶液中,SiC外延晶圓和顆粒具有相反的Zeta電位,產(chǎn)生吸引力。因此,可以先使用SC2清洗去除大部分顆粒,再進(jìn)行SC1清洗,這樣可以減少顆粒的附著,提高清洗效率。
深孔清洗方法:對(duì)于SiC晶圓上的深孔,可以采用硝酸溶液進(jìn)行多次清洗,并結(jié)合超聲波震動(dòng)增加硝酸在深孔中的流動(dòng)速度和交換比,同時(shí)加熱清洗劑以提高硝酸溶液的氧化性,從而清洗深孔中的聚合物。
等離子體清洗技術(shù):利用電子回旋共振微波等離子體發(fā)生系統(tǒng),以高純氫氣和高純氮?dú)庾鳛榈入x子體的氫源和氮源,對(duì)RCA清洗后的SiC晶圓進(jìn)行低溫等離子體清洗,探索貼合工藝參數(shù),可以有效去除表面碳污染和鈍化SiC表面缺陷。
選擇合適的清洗設(shè)備和工具:
化學(xué)機(jī)械清洗方法及專用工具:采用毛刷作為拋光刷,對(duì)SiC外延晶片的表面進(jìn)行化學(xué)拋光清洗,然后使用清洗刷進(jìn)行清洗,最后用熱氮?dú)獯祾吒稍锞?。這種方法可以高效去除晶片表面污染殘留物,并對(duì)晶片表面進(jìn)行一定的修飾。
高壓清洗機(jī):雖然主要針對(duì)機(jī)器人高壓清洗機(jī),但其中的很多原理也適用于SiC清洗機(jī)。例如,選擇合適的清洗劑、調(diào)整水壓和流量、定期維護(hù)以及充分利用自動(dòng)化功能等,都可以顯著提升清洗效率。
控制清洗過(guò)程的參數(shù):
精確控制清洗過(guò)程中的溫度、壓力、時(shí)間和化學(xué)試劑的濃度等參數(shù),以確保清洗效果的同時(shí),避免對(duì)SiC材料造成不必要的損傷。
定期維護(hù)和保養(yǎng):
定期對(duì)SiC清洗機(jī)進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng),包括清潔噴嘴、更換磨損的部件、檢查密封性能等,以保證設(shè)備的正常運(yùn)行和清洗效率。
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