NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 那諾中國(guó)有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2023/11/13 10:48:15
- 訪問次數(shù) 2433
產(chǎn)品標(biāo)簽
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ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子,制藥 |
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IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。
NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：
- 14.5”不銹鋼立體離子束腔體
- 16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
- 離子束中和器
- 氬氣MFC
- 6”水冷樣品臺(tái)
- 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
- 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
- 手動(dòng)上下載晶圓片
- 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
- 6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
- 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）
- 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
- 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
- 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
- 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
- 完整的安全聯(lián)鎖
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