AT-610 原子層沉積系統(tǒng)

一、原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

1.腔體材質(zhì)：全鋁鋁質(zhì)腔體；

2.樣品臺(tái)尺寸：處理最大直徑6英寸樣品；

3.基片加熱溫度：室溫~315℃±1℃；

4.液體源：一路高蒸氣壓液體氧化劑（H2O或H2O2），3路固體或液體金屬源；

5.可變過(guò)程壓力控制0.1至1.5Torr；

6.ALD閥：Swagelok快速高溫ALD專(zhuān)用閥；

7.載氣系統(tǒng)：N2，壓力30Psi；

8.生長(zhǎng)模式：連續(xù)和停留沉積模式任意選擇；

9.控制系統(tǒng)：16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制；

10.4個(gè)世偉洛克熱敏ALD閥門(mén)；

11.5個(gè)高溫劑量容積填充閥；

12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套，操作溫度室溫至150℃；

13.帶閥門(mén)的50ccSS前體瓶，波紋管密封高溫兼容閥;

14.Fujikin金屬密封，200sccmMFC流量質(zhì)量控制器，用于N2或Ar吹掃流量控制；

15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統(tǒng)和探頭故障保險(xiǎn)；

16.OEM 2級(jí)旋轉(zhuǎn)葉片泵，抽速18 cfm，極限真空3mtorr，包括Flomblin用于PFPE油；

二、原子層沉積系統(tǒng)特點(diǎn)

精準(zhǔn)控制：薄膜厚度可精確至亞納米級(jí)（0.1 ?/cycle），重復(fù)性誤差<1%。

高均勻性：在復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)（如納米線(xiàn)、多孔材料）表面實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋。

低溫工藝：部分機(jī)型支持室溫至300℃以上，范圍沉積，兼容熱敏感基材（如聚合物、生物材料）。

前驅(qū)體兼容性：支持金屬有機(jī)化合物、鹵化物、等離子體增強(qiáng)（PEALD）等多種反應(yīng)模式。

原位監(jiān)測(cè)：集成石英晶體微天平（QCM）、橢偏儀或光學(xué)反射儀，實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜生長(zhǎng)。

三、原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造：高介電材料（HfO?、Al?O?）、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

新能源：鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

光電子器件：OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

納米技術(shù)：量子點(diǎn)涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

生物醫(yī)療：生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

四、目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5）碳化物: TiC, NbC, TaC  

6）復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS

五、提供售后服務(wù)安裝調(diào)試培訓(xùn)；

原子層沉積（ALD）系統(tǒng)的售后服務(wù)致力于為客戶(hù)提供全面支持，包括設(shè)備安裝調(diào)試、操作培訓(xùn)、技術(shù)咨詢(xún)及定期維護(hù)。我們的專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)確保設(shè)備高效運(yùn)行，快速響應(yīng)故障排查與維修需求，并提供備件更換和軟件升級(jí)服務(wù)，以延長(zhǎng)設(shè)備壽命并保障生產(chǎn)效率?？蛻?hù)可通過(guò)熱線(xiàn)或在線(xiàn)平臺(tái)隨時(shí)聯(lián)系我們，享受定制化的解決方案。