超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
- 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/8/26 15:05:41
- 訪問次數(shù) 3788
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光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統(tǒng)
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
超高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)(UHV SPUTTER)
儀器介紹:
美國專業(yè)的制造商PVD公司是一家在磁控濺射沉積,電子束蒸發(fā)沉積,脈沖激光沉積等領(lǐng)域有著20年制造經(jīng)驗(yàn)。
我司代理的PVD公司生產(chǎn)的磁控濺射系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)在最大300mm襯底上沉積金屬和電介質(zhì)薄膜。使用RF、DC或脈沖DC電源的磁控濺射源可以單個(gè)模式或者聯(lián)合-沉積模式工作,以便生產(chǎn)可以對滿足廣泛的薄膜要求。我司生產(chǎn)的鈦磁控濺射源的尺寸可從1 inch(25mmm)到8inch(200mm)任選 ,并搭配內(nèi)置傾斜裝置以滿足按照沉積工藝進(jìn)行的微調(diào)。襯底支架符合最大300mm直徑的晶片需求,并可對晶片加熱至850°C及加載RF偏壓。磁控濺射系統(tǒng)可按客戶需求增減其他窗口用于諸如殘余氣體分析(RGA)、反射高能電子衍射(RHEED)或橢偏儀(ellipsometry)。
技術(shù)參數(shù):
Vacuum Chamber: 304不銹鋼圓柱形腔體,滿足不同客戶的定制需求。
Pumping: 分子泵或冷凝泵,機(jī)械泵真空系統(tǒng)
Load Lock: 手動傳片或自動傳片,適合各種形狀尺寸的小片到300mm大的圓片,高真空背景傳遞
Process Control: PC / PLC自動控制界面,菜單控制,數(shù)據(jù)獲取和遠(yuǎn)程控制
In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚監(jiān)控,光學(xué)膜厚監(jiān)控,RGA殘余氣體分析
Substrate Fixture: 單片,多片,星狀襯底夾具
Substrate Holders: 可加熱,冷卻,偏壓,旋轉(zhuǎn)
Ion Source: 襯底預(yù)清洗,納米表面改性
Deposition Techniques
Magnetron Sputtering RF, DC, or Pulsed-DC;具有射頻濺射,直流濺射,脈沖直流濺射。
Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition 傾斜角度濺射。