PHI nanoTOF II 飛行時(shí)間質(zhì)譜儀

?產(chǎn)品介紹

TRIFT-V nanoTOF II(三次聚集飛行時(shí)間)二次離子質(zhì)譜儀是超靈敏的表面分析技術(shù)，可檢測(cè)表面分子成分和分布，元素及其同位素。所有元素和同位素，包括氫都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析。由初級(jí)脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子，經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子的荷質(zhì)比，從而得知樣品表面信息。

PHI nanoTOF II^TM飛行時(shí)間質(zhì)譜儀是第五代SIMS儀器，該儀器具有*的飛行時(shí)間（TOF）分析儀，它擁有市場上TOF-SIMS儀器中大的角度和能量接收范圍，它使用了具有優(yōu)良離子傳輸能力的三級(jí)聚焦半球形靜電分析器，實(shí)現(xiàn)了高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。PHI nanoTOF II^TM還具有很高的成像能力，可以表征形貌復(fù)雜的樣品而沒有陰影效應(yīng)。

?飛行時(shí)間質(zhì)譜儀-特點(diǎn)：

  1、立體收集角度大和深景深

  2、同時(shí)實(shí)現(xiàn)高空間及高能量分辨模式

  3、視野范圍小可至5微米

  4、低背景和亞穩(wěn)抑制

  5、多種離子槍選配實(shí)現(xiàn)高精度深度剖析

  6、FIB-TOF三維深度分布成像

  7、串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS （有機(jī)高分子材料分析*附件）

  8、SmartSoft^TM-TOF配合WinCadence軟件易于操作

  9、多樣化的樣品托

?nanoTOF II儀器規(guī)格：

Bi 作為一次離子源時(shí)：

  1、低質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率（m/Δm）：硅（28Si⁺和28SiH⁺）在12000以上

  2、高質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率（m/Δm）：m/z > 200，在 16,000以上

  3、有機(jī)材料的質(zhì)量分辨率（m/Δm）：PET（104 amu）在12000以上

  4、小離子束直徑：70納米（高空間分辨率模式）、0.5μm（高質(zhì)量分辨率模式）

?nanoTOF II選配

串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS、氬氣團(tuán)簇離子槍、C60離子槍、銫離子槍、氬／氧離子濺射槍、樣品冷卻/加熱系統(tǒng)、樣品高溫加熱系統(tǒng)、真空轉(zhuǎn)移裝置、氧噴射系統(tǒng)、Zalar高速旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)、聚焦離子束FIB（Focused Ion Beam）、前處理室、各種樣品托、離線數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)、Static SIMS Library等。