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上海伯東進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100

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考夫曼離子源射頻離子源離子源

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上海伯東是德國(guó) Pfeiffer  真空設(shè)備, 美國(guó)  KRI 考夫曼離子源, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Gel-pak 芯片包裝盒, 日本 NS 離子蝕刻機(jī), 比利時(shí) Europlasma 等離子表面處理機(jī) 和美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備等進(jìn)口品牌代理商 .我們真誠(chéng)期待與您的合作!




質(zhì)譜分析儀,氦質(zhì)譜檢漏儀,分子泵,離子源,真空閥門

供貨周期 一個(gè)月以上
KRI 考夫曼離子源 KDC 100

KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對(duì)準(zhǔn)柵極, 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

KDC 100

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用, 自對(duì)準(zhǔn)

 -柵極直徑

12 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動(dòng)或快速法蘭

 - 高度

9.25'

 - 直徑

7.6'

 - 離子束

聚焦
平行
散設(shè)

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

8-36”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域:
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生




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