GVC-2000 磁控膜厚一體濺射儀

GVC-2000磁控膜厚一體濺射儀內(nèi)部集成膜厚檢測(cè)控制模塊，可精確測(cè)量、實(shí)時(shí)顯示當(dāng)前鍍膜厚度；精準(zhǔn)測(cè)量并復(fù)現(xiàn)當(dāng)前試驗(yàn)結(jié)果。

1、采用平面磁控濺射靶頭進(jìn)行靶材濺射，以確保工作過(guò)程樣品不會(huì)發(fā)生熱損傷；

2、采用單片機(jī)作為處理器，全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，擴(kuò)展性好，可選配膜厚監(jiān)控組件；

3、5英寸觸摸式液晶顯示屏，分辨率為800×480，全數(shù)字顯示；

3.1可設(shè)定：

（1）濺射電流；

（2）濺射時(shí)間；

（3）靶材種類(lèi)；

（4）工作真空度；

（5）工作氣體；

（6）屏幕亮度等參數(shù)。

3.2可顯示：

（1）濺射電流；

（2）濺射剩余時(shí)間；

（3）工作真空度；

（4）靶材累計(jì)使用時(shí)間；

（5）設(shè)備累計(jì)使用時(shí)間等參數(shù)。

4、濺射電流：5-45mA連續(xù)可調(diào)，最小步長(zhǎng)為1mA；

5、濺射時(shí)長(zhǎng)：1-999s連續(xù)可調(diào)，最小步長(zhǎng)為1s；

6、濺射真空：4-20Pa連續(xù)可調(diào)，最小步長(zhǎng)為0.1Pa；

7、濺射靶材：標(biāo)配為高純金靶（純度4N9），規(guī)格為φ57×0.12mm；

8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸約為φ125×125mm；

9、樣品杯：可容納最大樣品杯尺寸為φ90mm；

10、系統(tǒng)提供金、鉑對(duì)于空氣和氬氣的工作參數(shù)，可直接使用。同時(shí)提供3種自定義靶材，用戶(hù)可根據(jù)自己需求設(shè)定工作參數(shù)；

11、設(shè)定工作真空度后，系統(tǒng)可自動(dòng)調(diào)整至設(shè)定值，無(wú)需調(diào)節(jié)針閥；

12、設(shè)定濺射電流后，系統(tǒng)可自動(dòng)調(diào)整至設(shè)定值，無(wú)需其它操作；

13、具備濺射電流和真空度雙重互鎖，安全可靠，任一條件觸發(fā)，系統(tǒng)即可停止工作，防止因?yàn)檎`操作導(dǎo)致設(shè)備損壞；

14、極限真空優(yōu)于1Pa，真空泵抽速為1L/s；

15、具備實(shí)時(shí)曲線顯示濺射電流和真空度功能非常方便用戶(hù)了解系統(tǒng)工作狀態(tài)；

16、采用*的靶材更換結(jié)構(gòu)，無(wú)需任何工具，即可實(shí)現(xiàn)快速更換靶材；

17、操作軟件：內(nèi)置操作向?qū)?，便于操作人員快速熟悉設(shè)備，在人員更替時(shí)無(wú)需廠家培訓(xùn)即可熟練操作儀器。

GVC-2000磁控膜厚一體濺射儀技術(shù)參數(shù)：

1、濺射靶頭采用平面磁控靶設(shè)計(jì)；

2、系統(tǒng)采用單片機(jī)等微處理器控制，全數(shù)字顯示；

3、彩色液晶屏顯示，屏幕不小于5英寸；

4、最大濺射電流不小于45mA，最小濺射電流不大于5mA，步進(jìn)量為1mA；

5、濺射真空度可任意設(shè)定，且最小調(diào)節(jié)量0.1Pa；

6、可存儲(chǔ)不少于5種靶材的工作參數(shù)；

7、最長(zhǎng)濺射時(shí)間不小于600秒；

8、具備電流保護(hù)和真空保護(hù)功能，在電流過(guò)大、真空度較差時(shí)保證設(shè)備安全；

9、極限真空優(yōu)于1Pa；

10、可實(shí)時(shí)顯示靶材使用時(shí)間和設(shè)備工作時(shí)間；

11、可用實(shí)時(shí)曲線顯示濺射電流和真空度。