原子層沉積ALD

PICOSUN™P-300BV原子層沉積ALD系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD制 造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。擁有的熱壁、*獨(dú)立的 前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì)， 確保我們可  以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和  電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量ALD薄膜。  高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更加方便、快捷， 最 大限度的減少了系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成  本。擁有技術(shù)的Picoflow™使得在超高深 寬比結(jié)構(gòu)上沉積保形性薄膜更高效， 并已在  生產(chǎn)線上得到驗(yàn)證。

PICOSUN™P-300BV系統(tǒng)代表了工業(yè) 化ALD工藝水平。這個(gè)系統(tǒng)是為半自動(dòng)化的批 量生產(chǎn)而設(shè)計(jì)。設(shè)備本身針對(duì)快速批量生產(chǎn)  進(jìn)行了優(yōu)化，并允許通過SECS/GEM整合到自 動(dòng)化生產(chǎn)線上。擁有加熱選項(xiàng)的真空加載系 統(tǒng)可以對(duì)敏感的基底進(jìn)行潔凈加工并沉積金 屬氮化物薄膜。
 

PICOSUN™ P-300BV是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)行業(yè)的選 ALD系統(tǒng)！

襯底尺寸和類型

•   200mm晶圓 25片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    150mm 晶圓 50片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    100mm 晶圓 75片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）

•    非標(biāo)準(zhǔn)晶圓類基底（使用定制夾具）

工藝溫度

•    50 – 450°C

標(biāo)準(zhǔn)工藝

•   批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*

•   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

•    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**

基片裝載

•    立式半自動(dòng)裝載（一或兩個(gè)cassette位置）

•    裝載室加熱功能可選

前驅(qū)體

•    液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源

•    源瓶余量傳感器， 提供清洗和裝源服務(wù)

•     4根獨(dú)立源管線， 最多加載8個(gè)前驅(qū)體源