Ionfab 300 IBE 離子束刻蝕系統(tǒng)IBE

1. 產品概述

離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應用范圍廣。我們的設備具有靈活的硬件選項，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實際應用緊密協(xié)調，以確保獲得速率更快且重復性更好的工藝結果。百科：?離子束刻蝕系統(tǒng)（IBE）是一種物理刻蝕技術，利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子，并通過陽極電場加速的離子束對樣品表面進行物理轟擊，以達到刻蝕的目的。?離子束刻蝕（IBE），也稱為離子銑（Ion Beam Milling），是一種具有強方向性的物理刻蝕機理，能夠產生各向異性刻蝕，適用于小尺寸圖形的加工。

2. 設備特點

磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）；

介電薄膜；

III-V族光電子材料刻蝕；

自旋電子學；

金屬電極和軌道；

超導體；

激光端面鍍膜；

高反射（HR）膜；

防反射（AR）膜；

環(huán)形激光陀螺反射鏡；

X射線光學系統(tǒng)；

紅外（IR）傳感器；

II-VI族材料；

通信濾波器。