磁控共濺鍍設備

半導體類。

納米科技。

產品質量控制和質量檢查。

氧化物、氮化物和金屬材料的研究。

太陽能電池。

光學研究。

材料研究。

客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應用。

寬大的前開式門，並有兩個視窗和視窗遮版，

用於觀察基材和濺鍍源。

具有顯示功能的全領域真空計和用於壓力控制

的Baratron真空計。

腔體的極限真空度約10-8 Torr。

客製化基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

磁控濺鍍源（最多8個源），具有多種可選的

靶材尺寸。

具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源。

射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導電與

導電靶材。

精準流量控制器（最多4條氣體管線）。

基板可加熱到1000°C。

基材到靶材之間距為可調節(jié)的。

每個濺鍍源和基板均安裝遮板。

可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。

結合離子源、熱蒸發(fā)源，電子束...等等。

基板射頻或直流偏壓。

膜厚監(jiān)測儀。

射頻等離子清潔用於基材。

OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。