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DISC-IBE-150C/200C 離子束刻蝕機(jī)（IBE）
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 北京中科復(fù)華科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 DISC-IBE-150C/200C
- 產(chǎn)地 北京
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/4/7 8:52:42
- 訪問次數(shù) 132
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納米圖形發(fā)生器，離子束刻蝕/反應(yīng)離子刻蝕/感應(yīng)耦合等離子刻蝕 磁控濺射/氣相沉積/電子束蒸發(fā)鍍膜、ALD/MBE/MOCVD 光刻機(jī)、去膠設(shè)備等
應(yīng)用方向：科研與教學(xué)
產(chǎn)品優(yōu)勢：負(fù)角度刻蝕降低反污染，熱態(tài)、冷態(tài)兩種中和系統(tǒng)，刻蝕腔體前后開門
產(chǎn)品配置：
★離子源種類：考夫曼離子源
★離子源口徑：Φ160mm/220mm
★中和方式：燈絲、冷態(tài)等離子體橋
★樣片數(shù)量及尺寸：1片Φ100mm/150mm樣品
★刻蝕材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。
★刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)
★刻蝕不均勻性：±3%-±6%
★刻蝕速率：10-500nm/min（視具體材料與工藝）
★工作臺：可旋轉(zhuǎn)，可自傳，可調(diào)距離，包含水冷
★工藝氣路：1-2路
★束流檢測：法拉第筒在線檢測
★終點(diǎn)檢測控制：可選配質(zhì)譜儀
★操作模式：全自動(dòng)+半自動(dòng)控制
選型參考：DISC-IBE-150C（離子源口徑160mm）；DISC-IBE-200C（離子源口徑220mm）
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