ABM/6/350/NUV/DCCD/SA 紫外光刻機(jī)
- 公司名稱 北京中科復(fù)華科技有限公司
- 品牌 ABM/加拿大
- 型號(hào) ABM/6/350/NUV/DCCD/SA
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/4/7 10:21:44
- 訪問次數(shù) 226
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納米圖形發(fā)生器,離子束刻蝕/反應(yīng)離子刻蝕/感應(yīng)耦合等離子刻蝕 磁控濺射/氣相沉積/電子束蒸發(fā)鍍膜、ALD/MBE/MOCVD 光刻機(jī)、去膠設(shè)備等
截止到2008年1月,ABM公司在世界范圍售出了500多臺(tái)光刻機(jī),50多臺(tái)單獨(dú)曝光系統(tǒng)。客戶包括美國(guó)NSA和INTEL、哈佛大學(xué)、LG、菲利普、惠普、3M等,ABM在中國(guó)各地也擁有不同領(lǐng)域的客戶,包括眾多的工廠、大學(xué)和研究所等。
主要配置:
6“,8”光源系統(tǒng)
可支持2“,3”,4“,6”,8“(圓/方片)及碎片光刻
手動(dòng)系統(tǒng),半自動(dòng)系統(tǒng)
支持電源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波長(zhǎng)(可選項(xiàng))
支持背后對(duì)準(zhǔn)及MEMS工藝要求
CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
主要性能指標(biāo):
光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity::
--<±1% over 2” 區(qū)域
--<±2% over 4” 區(qū)域
--<±3% over 6” 區(qū)域
接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um
接觸式樣曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
支持接近式曝光,特征尺寸CD:
--0.8um 硬接觸
--1um 20um 間距時(shí)
--2um 50um 間距時(shí)
正面對(duì)準(zhǔn)精度 ± 0.5um
背面對(duì)準(zhǔn)精度±1um--±2um(Depends on user)
支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻,特征尺寸:100um-300um
支持LED優(yōu)異電流控制技術(shù)PSS工藝光刻
支持真空、接近式、接觸式曝光
支持恒定光強(qiáng)或恒定功率模式