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美國(guó)NBM 外延生長(zhǎng)微型激光脈沖沉積系統(tǒng)PLD

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司是專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體及微電子領(lǐng)域儀器設(shè)備供應(yīng)商,昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司所代理的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、半導(dǎo)體企業(yè)。

昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司目前代理的主要產(chǎn)品包括:

- 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀(Hall Effect Measurement System);

- 快速退火爐(RTP);

- 回流焊爐,真空燒結(jié)爐(Reflow Solder System);

- 探針臺(tái)(Probe Station),低溫探針臺(tái)(Cryogenic Probe Station);

- 貼片機(jī)(Die Bonder),劃片機(jī)(Scriber),球焊機(jī)/鍥焊機(jī)(Wire Bonder);

- 原子層沉積系統(tǒng)(ALD),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備(PEALD);

- 磁控濺射鍍膜機(jī)(Sputter),電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)(E-beam Evaporator),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)(Thermal Evaporator),脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD) ;

- 低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD),等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),快速熱化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(RTCVD);

- 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE),ICP刻蝕機(jī),等離子體刻蝕機(jī);

- 致冷機(jī)/低溫恒溫器(Cryostat/Cryocooler);

- 加熱臺(tái)、熱板、烤膠臺(tái) (Hot Chuck / Hot Plate);

- 掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng)(Kelvin Probe),光反射膜厚儀(Reflectometer);

- 高溫超導(dǎo)磁體(HTS Magnet),快速場(chǎng)循環(huán)核磁共振弛豫測(cè)試儀(FFC Reflexometer);






原子層沉積系統(tǒng),快速退火爐,PECVD,刻蝕機(jī)

產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 200萬(wàn)-400萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 電子,綜合

microPLD系統(tǒng)

專(zhuān)門(mén)為您的應(yīng)用定制的多功能系統(tǒng)

NBM Design很高興提供microPLD系統(tǒng)。對(duì)于想要開(kāi)始使用PLD技術(shù)的預(yù)算有限的用戶來(lái)說(shuō),微型PLD是啟動(dòng)系統(tǒng)。它適合有限的實(shí)驗(yàn)室空間,并且可以快速輕松地移動(dòng),使靈活的安裝成為現(xiàn)實(shí)。

在需要避免交叉污染問(wèn)題的情況下,微型PLD系統(tǒng)也是擴(kuò)展PLD實(shí)驗(yàn)室的一種簡(jiǎn)單方法。

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質(zhì)的動(dòng)態(tài)

3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)與生成

在*階段,激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí),靶表面的一切元素會(huì)快速受熱,到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會(huì)從靶中分離出來(lái),而蒸發(fā)出來(lái)的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。物質(zhì)的瞬時(shí)溶化率大大取決於激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象,例如碰撞、熱,與電子的激發(fā)、層離,以及流體力學(xué)。

在第二階段,根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律,發(fā)射出來(lái)的物質(zhì)有移向基片的傾向,并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象??臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化,而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度,對(duì)沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個(gè)因素,支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn),將一塊障板放近基片會(huì)縮小角度范圍。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放射出的高能核素碰擊基片表面,可能對(duì)基片造成各種破壞。下圖表明了相互作用的機(jī)制。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個(gè)碰撞區(qū)。膜在這個(gè)熱能區(qū)(碰撞區(qū))形成后立即生成,這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的z佳場(chǎng)所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高,熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到,由於熔化粒子流減弱,膜便能在基片表面生成。

全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)概述:該系統(tǒng)為PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的立柜式系統(tǒng),具有占地面積小、性價(jià)比高的優(yōu)點(diǎn)。占地面積尺寸為26"x42"x44"。不銹鋼立柜,帶Auto Load/Unload自動(dòng)上下載片功能,帶預(yù)真空鎖。

主要優(yōu)點(diǎn):

1. 易獲得期望化學(xué)計(jì)量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性;

2. 沉積速率高,試驗(yàn)周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻;

3. 工藝參數(shù)任意調(diào)節(jié),對(duì)靶材的種類(lèi)沒(méi)有限制;

4. 發(fā)展?jié)摿薮螅哂袠O大的兼容性;




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