美國NBM 外延生長微型激光脈沖沉積系統(tǒng)PLD
- 公司名稱 昱臣半導體技術(香港)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/4/14 10:45:38
- 訪問次數(shù) 99
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產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 200萬-400萬 |
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應用領域 | 電子,綜合 |
microPLD系統(tǒng)
專門為您的應用定制的多功能系統(tǒng)
NBM Design很高興提供microPLD系統(tǒng)。對于想要開始使用PLD技術的預算有限的用戶來說,微型PLD是啟動系統(tǒng)。它適合有限的實驗室空間,并且可以快速輕松地移動,使靈活的安裝成為現(xiàn)實。
在需要避免交叉污染問題的情況下,微型PLD系統(tǒng)也是擴展PLD實驗室的一種簡單方法。
1. 激光輻射與靶的相互作用
2. 熔化物質的動態(tài)
3. 熔化物質在基片的沉積
4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)與生成
在*階段,激光束聚焦在靶的表面。達到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時,靶表面的一切元素會快速受熱,到達蒸發(fā)溫度。物質會從靶中分離出來,而蒸發(fā)出來的物質的成分與靶的化學計量相同。物質的瞬時溶化率大大取決於激光照射到靶上的流量。熔化機制涉及許多復雜的物理現(xiàn)象,例如碰撞、熱,與電子的激發(fā)、層離,以及流體力學。
在第二階段,根據(jù)氣體動力學定律,發(fā)射出來的物質有移向基片的傾向,并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象??臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化,而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度,對沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個因素,支配熔化物質的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn),將一塊障板放近基片會縮小角度范圍。
第三階段是決定薄膜質量的關鍵。放射出的高能核素碰擊基片表面,可能對基片造成各種破壞。下圖表明了相互作用的機制。高能核素濺射表面的部分原子,而在入射流與受濺射原子之間,建立了一個碰撞區(qū)。膜在這個熱能區(qū)(碰撞區(qū))形成后立即生成,這個區(qū)域正好成為凝結粒子的z佳場所。只要凝結率比受濺射粒子的釋放率高,熱平衡狀況便能夠快速達到,由於熔化粒子流減弱,膜便能在基片表面生成。
全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)概述:該系統(tǒng)為PC計算機全自動控制的立柜式系統(tǒng),具有占地面積小、性價比高的優(yōu)點。占地面積尺寸為26"x42"x44"。不銹鋼立柜,帶Auto Load/Unload自動上下載片功能,帶預真空鎖。
主要優(yōu)點:
1. 易獲得期望化學計量比的多組分薄膜,即具有良好的保成分性;
2. 沉積速率高,試驗周期短,襯底溫度要求低,制備的薄膜均勻;
3. 工藝參數(shù)任意調節(jié),對靶材的種類沒有限制;
4. 發(fā)展?jié)摿薮?,具有極大的兼容性;