RIE-350iPC 等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述

RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設(shè)備，可處理多達(dá)?350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理。該系統(tǒng)為各種蝕刻應(yīng)用提供了堅(jiān)固可靠的硬件和的工藝控制，具有較高的生產(chǎn)率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、電容器和射頻濾波器。

2. 設(shè)備用途/原理

GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蝕刻，SiN和SiO2的蝕刻，電介質(zhì)和金屬的蝕刻，用于HBLED的PSS（圖案化藍(lán)寶石襯底）加工。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

大加工范圍：?350 mm (?3" x 12, ?4" x 8, ?12" x 1)。先進(jìn)的ICP源HSTC™（Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均勻的高密度等離子體，并在大面積上具有優(yōu)異的蝕刻均勻性。對(duì)稱的疏散設(shè)計(jì)與TMP相結(jié)合，形成了高效的流動(dòng)。優(yōu)化的氣體歧管，提供工藝氣體的均勻性?？蛇x的光學(xué)/干涉式端點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)工藝運(yùn)行的精確蝕刻深度控制。