SI 500 C 等離子體蝕刻系統(tǒng)

使用低溫加工的深硅蝕刻

電感耦合 SENTECH SI 500 C 低溫 ICP-RIE 等離子體蝕刻系統(tǒng)設計用于硅的低溫蝕刻以獲得光滑的側壁、室溫下的硅蝕刻以及使用氣體切碎工藝的深硅蝕刻，應用在流體學、傳感器、光電子學、光子學和量子技術中。

SENTECH專有的等離子體源技術

SENTECH 平面三重螺旋天線 （PTSA） 是一種 ICP 等離子體源。PTSA 源產生具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體，適用于傳感器和量子點的低損傷蝕刻。它具有高耦合效率和非常好的點火性能，適用于處理各種材料和結構。

動態(tài)溫度控制

等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩(wěn)定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和襯底背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。通常，低溫電極使用液氮冷卻，但是，低溫電極也可用于使用冷卻器進行室溫處理。有一個選項可用于在低溫蝕刻和室溫蝕刻之間自動切換。