LMEC-300 12英寸特種金屬膜層刻蝕設(shè)備

1. 產(chǎn)品概述

LMEC-300™ 是魯汶儀器針對(duì)特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊層，例如磁存儲(chǔ)器的磁隧道節(jié)（MTJ）、相變存儲(chǔ)器中的合金相變層、阻變存儲(chǔ)器中的阻變疊層。其副產(chǎn)物不易揮發(fā)，圖形化挑戰(zhàn)很大。 LMEC-300™ 反應(yīng)離子刻蝕與離子束刻蝕協(xié)同工藝，可規(guī)避 RIE 路徑的側(cè)壁沾污問題，也可突破 IBS 路徑的工藝線寬局限。薄膜沉積腔室可以不脫離真空環(huán)境為器件覆蓋鈍化層，避免側(cè)壁金屬氧化、水化，從而改善可靠性。這種 RIE、IBS與原位鈍化工藝集成方案，使 LMEC-300™ 成為新興存儲(chǔ)器件關(guān)鍵工藝的優(yōu)選。

2. 系統(tǒng)特性

設(shè)備集成了 Chimera® N 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）腔室、Pangea® A 離子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉積腔室，工藝不離開真空環(huán)境

對(duì)于磁隧道結(jié)等難于形成揮發(fā)性產(chǎn)物的金屬/合金疊層，該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)等離子體刻蝕、干法清洗和原位鈍化保護(hù)的功能

可提供不同工藝解決方案，滿足磁存儲(chǔ)器（MRAM）、相變存儲(chǔ)器（PCRAM）、阻變存儲(chǔ)器（ReRAM）、磁傳感器等器件的圖形化需求

可選配硬掩模刻蝕腔室 Chimera® A，形成從金屬硬掩模到器件功能層的一體化刻蝕方案

適用于12英寸晶圓