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PlasmaPro 100 Cobra ICP 電感耦合等離子體刻蝕

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
  • 品牌 OXFORD/英國牛津
  • 型號(hào) PlasmaPro 100 Cobra ICP
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間 2024/9/5 16:11:50
  • 訪問次數(shù) 223
產(chǎn)品標(biāo)簽

ICP刻蝕

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝,適用于大尺寸為200毫米的晶圓,支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。

高刻蝕速率和高選擇性

低損傷刻蝕和高可重復(fù)性加工

單晶圓裝載鎖定或可與多達(dá)5個(gè)工藝模塊集群

He背面冷卻,以實(shí)現(xiàn)佳溫度控制

寬溫度范圍電,-150°C至400°C

與所有大尺寸為200毫米的晶圓兼容

晶圓尺寸之間的快速轉(zhuǎn)換

原位腔室清潔和終點(diǎn)控制功能

2. 特色參數(shù)

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系統(tǒng)利用高密度電感耦合等離子體實(shí)現(xiàn)快速刻蝕速率。該工藝模塊可提供出色的均勻性、高吞吐量、高精度和低損傷工藝,適用于大尺寸為200毫米的晶圓,支持包括GaAs和InP激光光電子、SiC和GaN電力電子/射頻以及MEMS和傳感器在內(nèi)的多個(gè)市場(chǎng)域。

晶圓尺寸:大可達(dá)200mm

ICP源尺寸可選:65mm和300mm

溫度范圍:從-150°C到400°C

集群:多達(dá)5個(gè)模塊,包括 ALD、PECVD、離子束刻蝕和離子束沉積等技術(shù)




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