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微波法霍爾遷移率

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導體檢測分析設備制造商。公司集研發(fā)、設計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術(shù),替代進口產(chǎn)品,使半導體材料測試設備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設計經(jīng)驗申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

價格區(qū)間 面議 應用領(lǐng)域 化工,電子,電氣,綜合

?霍爾遷移(Hall mobility)是指霍爾系數(shù)RH與電導σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱,因此特別稱為霍爾遷移率,表示為μH =│RH│σ?。?12

定義和計算方法

霍爾遷移率是霍爾系數(shù)RH與電導率σ的乘積。在簡單情況下,霍爾遷移率μH等于載流子的電導遷移率μ,但在考慮速度分布的情況下,兩者可能不相等。只有在不考慮速度分布的情況下,霍爾遷移率才等于電導遷移率。

應用領(lǐng)域

霍爾遷移率在電子材料中是一個重要指標,特別是在GaN基HEMT結(jié)構(gòu)材料中。高電子遷移率可以提升器件的工作速度和效率,減少膝點電壓,從而使器件在較高頻率下工作,具有更高的效率。

霍爾效應傳感器中,自由電子的移動能力通過遷移率來量化,這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間



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