ALD原子層沉積緊湊、經(jīng)濟型
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 北京盈思拓科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質 經(jīng)銷商
- 更新時間 2025/6/5 18:43:33
- 訪問次數(shù) 165
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設備介紹：
該款ALD原子層沉積設備，特別適用于科研用戶的小型臺式設備。它經(jīng)濟實用、操作簡單、質量穩(wěn)定可靠、售后耗材費用極低、維修便捷、容易操作。它已經(jīng)在ALD專家教授實驗室被廣泛使用。
該款ALD原子層沉積設備，特別適用于科研用戶的小型臺式設備。它經(jīng)濟實用、操作簡單、質量穩(wěn)定可靠、售后耗材費用極低、維修便捷、容易操作。它已經(jīng)在ALD專家教授實驗室被廣泛使用。
研發(fā)團隊介紹：
該設備是由哈佛著名ALD團隊Roy G. Grodon教授組的教授們研發(fā)出來的。
Roy G. Gordon院士，美國哈佛大學化學系Thomas D. Cabot教授。研究領域涉及應用數(shù)學、物理、化學和材料科學。在應用數(shù)學領域發(fā)展了特殊函數(shù)(Airy, Bessel, Weber, Dawson, Morse等)有效近似計算方法，并應用于量子力學和化學動力學等領域。在物理化學領域，提出了“Gordon-Kim”勢函數(shù)，可用于精確計算分子間相互作用力。在材料科學領域，自80年代后，Roy Gordon院士致力于研究化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)的前驅物及工藝，發(fā)展了一系列可用于生長純金屬、金屬氧化物、氮化物和硫化物等的前驅物，并應用于工業(yè)生產(chǎn)。目前工業(yè)界應用的Roy Gordon院士發(fā)明的技術方法包括：CVD制備氧化錫/二氧化硅多層膜結構用于節(jié)能窗玻璃；快速ALD制備納米Al2O3/SiO2多層膜用于濾光器件；ALD制備氮化鈦納米薄膜用于計算機芯片中銅、鋁導線的擴散勢壘；CVD制備ITO薄膜應用于薄膜太陽能電池；CVD制備氮化鋁薄膜應用于場致發(fā)光顯示器。
設備特點：
1.該設備尺寸小，體積小，特別適合有高真空、高敏感材料的研究，無專業(yè)的潔凈室要求，最小的型號可以直接放到手套箱里面操作。也可以根據(jù)需要和手套箱建立不同形式的連接方式；
2.設備適合科研級別研究，最小可做2英寸的襯底；
3.可以進行粉末包裹；
4.可以在現(xiàn)場從熱型升級為等離子體型的選型；
5.可以根據(jù)需求定制多達近百個襯底的樣品臺。
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用戶案例：
哈佛大學、赫爾辛基大學（ALD起源地）、西北大學、劍橋大學(英國)、牛津大學、萊斯大學、英屬哥倫比亞大學(加拿大)、ENS-Paris(法國、高等師范學院)、國立材料科學研究所(日本，多臺)、早稻田大學(多臺)、東京大學、北京量子研究院、北京大學、、布里斯托大學（英國）、謝菲爾德大學等等
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