電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是為等離子化學(xué)蝕刻系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的反應(yīng)離子蝕刻RIE和ICPCVD系統(tǒng),將反應(yīng)離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學(xué)刻蝕模式相結(jié)合.
該電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)充分利用了半導(dǎo)體、電介質(zhì)和金屬薄膜受控等離子體刻蝕工藝的所有必要特性。它適用于氯和氟化學(xué)。STE ICP200E允許兩種類(lèi)型的等離子體激發(fā)：電容（冷卻基板電極）和電感（平面螺旋ICP電極）。
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)改進(jìn)的小反應(yīng)器容積和優(yōu)化的供氣系統(tǒng)可以顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性，并縮短泵送時(shí)間。更新的反應(yīng)器是最佳的蝕刻配方與快速變化的工藝氣體（博世過(guò)程）。由于可以方便地訪(fǎng)問(wèn)所有內(nèi)部組件，因此系統(tǒng)的日常維護(hù)變得更加容易。特殊的底部電極設(shè)計(jì)為蝕刻工藝提供高效的氦冷卻和晶圓溫度控制。
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)允許在較寬的工藝參數(shù)窗口內(nèi)，將反應(yīng)離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子體化學(xué)刻蝕模式相結(jié)合。射頻發(fā)生器自動(dòng)匹配，從而確保穩(wěn)定的等離子燃燒模式在廣泛的功率值范圍內(nèi)。系統(tǒng)設(shè)計(jì)為其配置提供了解決單個(gè)客戶(hù)任務(wù)的廣泛機(jī)會(huì)。

電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)

工藝過(guò)程反應(yīng)器中的極限壓力:<5×10

^-6Torr

一次性處理晶圓數(shù)量：：7個(gè)@2'', 4個(gè)@3'', 1個(gè)×∅200mm, 1個(gè)@∅150mm 1個(gè)@∅100mm

RIE反應(yīng)器最大功率：600W   @13.56MHz

ICP發(fā)生器最大功率：1200W @13.56MHz

晶圓冷卻溫度范圍：-30℃~80℃

達(dá)到預(yù)處理真空的時(shí)間（<5×10^-6Torr）:   不超過(guò)25min

磁控管源的最大數(shù)量：5×∅200mm 或 6×∅150mm

離子束粒（離子能20~300eV): 可選配

襯底支架傾斜180度：  可選配

蝕刻不均性：+/-2% (從中心位置到邊緣,∅100mm）

過(guò)程：自動(dòng)化把晶圓轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。