反應(yīng)離子刻蝕機(jī)系統(tǒng) 參考價(jià):面議
反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)???????RIE600W是一款進(jìn)口等離子體反應(yīng)離子蝕刻機(jī),用于各向同性蝕刻,蝕刻氧化物、氮化物、聚合物等薄膜。感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng) 參考價(jià):面議
???????感應(yīng)耦合反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)ICPRIE由射頻電源感應(yīng)產(chǎn)生等離子體,以產(chǎn)生各向異性蝕刻。在基本ICP-RIE蝕刻系統(tǒng)中,射頻直接連接到用作電極的樣品臺(tái)...等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)采用*大的腔室和等離子ALD模塊,獲得**的原子層沉積效果。ALD系統(tǒng),原子層沉積設(shè)備 參考價(jià):面議
ALD系統(tǒng)AT410提供了用于3D樣品制備的共形導(dǎo)電薄膜解決方案,同時(shí)還提供了目前使用濺射/蒸發(fā)生長的傳統(tǒng)2D涂層。電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):面議
電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是為等離子化學(xué)蝕刻系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的反應(yīng)離子蝕刻RIE和ICPCVD系統(tǒng),將反應(yīng)離子刻蝕RIE和電感耦合等離子體刻蝕ICP兩種等離子...等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價(jià):1000000
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術(shù)專業(yè)為介質(zhì)膜鍍膜設(shè)計(jì)的化學(xué)氣相沉積設(shè)備。COVAP物理氣相沉積系統(tǒng),PVD系統(tǒng) 參考價(jià):面議
COVAP物理氣相沉積系統(tǒng)為許多工藝應(yīng)用提供緊湊、經(jīng)濟(jì)、但仍然穩(wěn)健的PVD解決方案。離子束沉積系統(tǒng),離子shu沉積濺射鍍膜 參考價(jià):面議
離子束沉積系統(tǒng)IBD采用真空沉積工藝,使用直接聚焦在濺射靶上的寬束離子源實(shí)現(xiàn)離子束沉積濺射鍍膜。然后,來自靶材的濺射材料沉積在附近的襯底上形成薄膜。電子束蒸發(fā)系統(tǒng),EB-4P電子shu沉積系統(tǒng) 參考價(jià):800000
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)EB-4P也是電子束沉積系統(tǒng),有四個(gè)容量不同的袖珍坩堝和各種電源,可以添加熱阻源或直流和射頻濺射或蝕刻。超高真空激光分子束外延團(tuán)簇系統(tǒng) 參考價(jià):1500000
超高真空激光分子束外延團(tuán)簇系統(tǒng) laser cluster將不同的薄膜和分析技術(shù)結(jié)合成一個(gè)強(qiáng)大的系統(tǒng)。***多可將七個(gè)單獨(dú)的腔室連接到中央傳輸模塊,從而在超高真...XWS寬帶等離子體光源 參考價(jià):面議
這款寬帶等離子體光源XWS是激光泵浦等離子體超亮度光源,輸出光譜范圍180nm ~2500nm,輸出光功率高達(dá)40W,可替代傳統(tǒng)氣體放電光源(如氙燈、氘燈、鎢燈...等離子體芯片開封機(jī) 參考價(jià):面議
這款等離子體芯片開封機(jī)利用大氣微波等離子體針產(chǎn)生的氧氣等離子體分解IC封裝模塑實(shí)現(xiàn)IC封裝脫封和開帽。離子體灰化蝕刻系統(tǒng) 參考價(jià):面議
等離子體灰化蝕刻系統(tǒng)e3600采用zuixin的光刻膠去除技術(shù),為去除晶圓光刻膠提供高效方案??梢栽诓桓淖冇布那闆r下同時(shí)處理不同尺寸的晶圓。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)器,VNA自動(dòng)校準(zhǔn)儀 參考價(jià):面議
該矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀校準(zhǔn)器模塊通過USB或5.5 DC連接器通電,并通過USB或LAN與VNA進(jìn)行通信,通過一個(gè)啟動(dòng)按鈕,可通過VNA的四端口校準(zhǔn)完成一個(gè)端口。高級等離子體表面處理系統(tǒng),表面活化增強(qiáng) 參考價(jià):面議
高級等離子體表面處理系統(tǒng)NEBULA是為器件等離子體處理設(shè)計(jì)的大型等離子體處理機(jī)器,離子體表面處理系統(tǒng)NEBULA用于等離子體清潔、附著力改善,等離子體表面活化...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)