離子束沉積系統(tǒng)IBD采用真空沉積工藝，使用直接聚焦在濺射靶上的寬束離子源實(shí)現(xiàn)離子束沉積濺射鍍膜。然后，來自靶材的濺射材料沉積在附近的襯底上形成薄膜。
一些應(yīng)用將使用濺射靶材的組件，該組件可被索引以創(chuàng)建多層薄膜。大多數(shù)IBD應(yīng)用將使用第二個(gè)離子源IBAD來控制和增強(qiáng)濺射膜的性能。
離子束沉積系統(tǒng)IBD特點(diǎn)
電拋光不銹鋼腔室（D形盒）
帶手動(dòng)快門的前門上的4“直徑觀察口
匹配雙級旋轉(zhuǎn)葉片泵的渦輪分子真空泵系統(tǒng)
帶會(huì)聚束離子源和電源的離子束沉積，易于安裝靶材
具有發(fā)散束離子源和電源的離子束輔助沉積
帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器
帶數(shù)字讀數(shù)的質(zhì)量流量控制器
帶數(shù)字顯示和讀數(shù)的全量程真空計(jì)
半自動(dòng)控制系統(tǒng)