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    MC方案|快速準確地繪制硅晶圓上的薄膜涂層

    2019-4-9 閱讀(1827)

    10.jpg

    薄膜厚度均勻性和光學特性(N&K)是集成電路和MEMS制造過程中的一個關(guān)鍵參數(shù)。薄膜沉積控制可以產(chǎn)生高質(zhì)量的圖形,并確保在光刻步驟之后的器件性能。除了在半導(dǎo)體開發(fā)的步中對薄膜進行檢查的必要性外,還需要在后階段進行檢查,在這一階段進行封裝(在集成電路頂部涂上一層涂層,以保護其免受物理損傷和腐蝕)。              

    在這里,我們使用了FR-Scanner來繪制兩個商業(yè)光刻電阻的厚度圖,這兩個光刻電阻沉積在300毫米硅晶片上,用于封裝應(yīng)用。            

    FR-Scanner是一種工具,用于自動表征硅和其他尺寸達450 mm的基板上的單個或多個涂層,在精度和速度方面具有性能。

    26.png

    FR-Scanner 

     

    測量的方法:研究中的樣品是300毫米硅晶圓片,每一個晶圓片上都涂有不同的商業(yè)光刻膠。所用的光阻劑為:HD8820PW1000T,帶有BARC涂層。所有測量均使用FR-Scanner工具進行,光譜范圍為370-1020nm,能夠非常快速可靠地測量從12nm90um的涂層厚度。              

    該工具通過旋轉(zhuǎn)夾頭和在頂部線性移動光學頭(極化掃描),在不彎曲反射探頭的情況下,以非常高的速度掃描晶片,這對于測量至關(guān)重要。通過FR-Monitor生成的圖案包括625個點位于(R,θ)位置,如右圖所示,每次掃描持續(xù)大約1分鐘30秒(以完成掃描和厚度測量)。

    20.jpg

     

    結(jié)果:

    在下面的圖像中,如在Fr監(jiān)控軟件上所示,顯示了隨機點上所有樣品的典型獲得的反射光譜(黑線)和擬合的反射光譜(紅線),以及每個晶圓的映射輪廓。

    360截圖16190824547689.jpg

    360截圖16270825236226.jpg

    掃描后,可以通過軟件導(dǎo)出包含要編輯的各種參數(shù)的統(tǒng)計分析和厚度映射成像的報告。

    對于統(tǒng)計參數(shù)的計算和點分布的表示,可以根據(jù)統(tǒng)計計算參數(shù)排除某些點。 這些被排除的點被視為“”點,可以以不需要的方式改變統(tǒng)計數(shù)據(jù),因此用戶可以排除它們。例如,在光刻膠HD8820的映射輪廓中,在該范圍內(nèi)包括625個點中的551個,因此晶片的合格區(qū)域代表其總面積的88.4%,在2D圖中用顏色表示。 在PW1000T + BARC的映射配置文件中,625點中的614包括在該范圍內(nèi),因此晶片的合格區(qū)域代表其總面積的98.4%。

     

    結(jié)論:

    使用FR-Scanner測量涂覆在300mm 硅晶片上的各種膜的厚度。 此外,通過厚度測量,晶片區(qū)域上的厚度映射和厚度均勻性的統(tǒng)計分析,成功地表征了膜。

    25.jpg  

                                                         FR-Monitor軟件的屏幕截圖                                                 



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