海德創(chuàng)業(yè)（北京）生物科技有限公司

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海德創(chuàng)業(yè)（北京）生物科技有限公司>>電子顯微鏡試劑耗材>>電鏡標(biāo)準(zhǔn)樣>> 掃描電鏡線寬標(biāo)樣
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掃描電鏡線寬標(biāo)樣

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  • 海德創(chuàng)業(yè)（北京）生物科技有限公司
  • 2017-04-07 11:44:53
  • 北京市
  • 1322

我要詢價(jià) 具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

【簡(jiǎn)單介紹】

掃描電鏡線寬標(biāo)樣，掃描電鏡測(cè)長(zhǎng)物質(zhì)常見的有兩種，一種線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，一種粒度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)以單晶硅為基底，表面刻制金屬膜（鎢或者鈦）。

【詳細(xì)說明】

掃描電鏡線寬標(biāo)樣

    掃描電鏡測(cè)長(zhǎng)物質(zhì)常見的有兩種，一種掃描電鏡線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，一種掃描電鏡粒度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)以單晶硅為基底，表面刻制金屬膜（鎢或者鈦）。周期性的線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)主要用于校準(zhǔn)掃描電鏡放大倍率和進(jìn)行長(zhǎng)度的比對(duì)。

  • 安裝在樣品臺(tái)上，快速核對(duì)空間尺寸
  • 定期進(jìn)行顯微鏡的刻度和性能檢查
  • *時(shí)間獲得高放大倍率和sub-micron-scale
  • 精確獲得從0.3um到30um的尺寸，僅用一個(gè)刻度參照物
  • 分析變形失真原因

掃描電鏡線寬標(biāo)樣基本參數(shù)：

 

301CE & 701CE

302CE & 702CE

301BE**

Substrate

Silicon Wafer

Silicon Wafer

Silicon Wafer

Top Surface

60 nm Tungsten film

60 nm Tungsten film

Ti pattern on Si

Physical Size

3mm x 4mm x 0.5mm

3mm x 4mm x 0.5mm

3mm x 4mm x 0.5mm

Accuracy

± 3%

± 3%

± 1%

Nominal Dimensions

(x)

(x, y)

(x)

300 nm for 301CE

300 nm for 302CE

300 nm for 301BE

700 nm for 701CE

700 nm for 702CE

 

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mounted or unmounted*

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產(chǎn)品規(guī)格

80110-31

MODEL 301CE SUBMICRON STANDARD UNMOUNTED

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80110-31M

MODEL 301CE SUBMICRON STANDARD - MOUNTED

個(gè)

80110-31-PIN

MODEL 301CE WITH PIN

個(gè)

80110-32

MODEL 302CE SUBMICRON STANDARD-UNMOUNTED

個(gè)

80110-32M

MODEL 302CE SUBMICRON STANDARD - MOUNTED

個(gè)

80110-32-PIN

MODEL 302CE WITH PIN

個(gè)

80110-71

MODEL 701CE  SUBMICRON  STANDARD, UNMOUNTED

個(gè)

80110-71M

MODEL 701 CE SUBMICRON STANDARD-MOUNTED

個(gè)

80110-71-PIN

MODEL 701CE WITH PIN

個(gè)

80110-72

MODEL 702CE SUBMICRON STANDARD,UNMOUNTED

個(gè)

80110-72M

MODEL 702CE SUBMICRON STANDARD-MOUNTED

個(gè)

80110-72-PIN

MODEL 702CE WITH PIN

個(gè)

80111-31

MODEL 301BE SUBMICRON STANDARD-UNMOUNTED

個(gè)

80111-31M

MODEL 301BE SUBMICRON STANDARD - MOUNTED

個(gè)

80111-31-PIN

MODEL 301BE WITH PIN

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