目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>電子束>> 剝離成形電子束設(shè)備
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更新時(shí)間:2024-07-10 13:31:53瀏覽次數(shù):537評(píng)價(jià)
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
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剝離成形電子束設(shè)備介紹:
對(duì)於有些金屬,我們很難使用蝕刻(Etching)方式來(lái)完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí),就可以採(cǎi)用 Lift-Off製程來(lái)做出想要的金屬圖案。在此過(guò)程中,電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上,最終在洗去其犧牲層,以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度,因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3%。
? 針對(duì)Lift-Off製程設(shè)計(jì)載臺(tái)水冷或液態(tài)氮冷卻。 |
1.準(zhǔn)備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對(duì)犧牲層進(jìn)行圖案化(例如蝕刻),以形成反向圖案。
4.沉積目標(biāo)材料。
5.洗去犧牲層以及目標(biāo)材料的表面。
6.最終圖案層:
①基材
②犧牲層
③目標(biāo)材料
剝離成形電子束設(shè)備參數(shù):
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)