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同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二...
TH512 半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
TH512 半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二極...
TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介：TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的...
HIOKI日置 3506-10電容電阻測(cè)試儀測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：面議
HIOKI日置 3506-10電容電阻測(cè)試儀測(cè)量?jī)x：對(duì)應(yīng)1MHz測(cè)試, 低容量,高精度,高速測(cè)試C、(tan δ), Q測(cè)試，低電阻測(cè)量 測(cè)試源頻率：1kHz，...
日置C測(cè)試儀3504-60電容檢測(cè)測(cè)量?jī)x器 參考價(jià)：面議
日置C測(cè)試儀3504-60電容檢測(cè)測(cè)量?jī)x器：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容 靜電容量...
HIOKI C測(cè)試儀3504-50元器件電容檢測(cè)儀器 參考價(jià)：面議
HIOKI C測(cè)試儀3504-50元器件電容檢測(cè)儀器：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容...
HIOKI日置C測(cè)試儀電容測(cè)試設(shè)備 3504-40 參考價(jià)：面議
HIOKI日置C測(cè)試儀電容測(cè)試設(shè)備 3504-40：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容 ...
費(fèi)思FTI5000系列FTI5010-10000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5010-10000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465....
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-1000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-1000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465.1...
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-200保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-200保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465.1-...
致茂Chroma Model11090-030射頻LCR表測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
致茂Chroma Model11090-030射頻LCR表測(cè)試儀產(chǎn)品特色：●測(cè)試參數(shù):Z,0z,Y, θy, R, X, G, B, Ls, Lp, Cs, C...
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000 參考價(jià)：面議
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
HUSTEC-DC-2020分立器件測(cè)試儀設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系...
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300 參考價(jià)：面議
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)...
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT 參考價(jià)：面議
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊...
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224 參考價(jià)：面議
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)...
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT 參考價(jià)：面議
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-1600A-MT華科智源功率器件測(cè)試儀，測(cè)試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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