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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,電氣,綜合 |
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產(chǎn)品分類品牌分類
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
Huace HT-11高低溫真空探針臺(tái)
華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料高低溫真空探針臺(tái)
華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料高低溫真空探針臺(tái)特點(diǎn)/應(yīng)用
◆ 2至6英寸樣品臺(tái)
◆ 高真空腔體
◆ 防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品溫度均勻性更好
◆ 77K-675K高低溫環(huán)境
◆ 兼容IV/CV/RF測(cè)試
◆ 外置多探針臂，移動(dòng)行程大
◆ 經(jīng)濟(jì)實(shí)用，可無縫升級(jí)
華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料高低溫真空探針臺(tái)極低溫測(cè)試:
因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測(cè)試：
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。
華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料高低溫真空探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)：
腔體規(guī)格 | |
樣品臺(tái)尺寸 | 2英寸/4英寸/6英寸 |
樣品固定 | 彈簧壓片 |
觀察窗口 | 2英寸/4英寸/6英寸 |
真空度 | 10-6torr |
探針臂接口 | 4~6個(gè)探針臂接口 |
其他接口 | 電信接口、真空接口、光纖接口、冷源接口 |
制冷方式 | 液氮/液氦/制冷機(jī) |
溫度范圍 | 77K到573K/4.5K到573K |
溫控精度 | 0.1K/0.01K/0.001K |
穩(wěn)定性 | ±1K/±0.1K/±0.01K外形 |
外形 | 880mm長(zhǎng)*880mm寬*600mm高/980mm長(zhǎng)*980mm寬*600mm高 |
重量 | 約20KG/30KG |
光學(xué)系統(tǒng) | |
顯微鏡類型 | 單筒顯微鏡/體式顯微鏡/金相顯微鏡 |
放大倍率 | 16X-200X/20X-4000X |
移動(dòng)行程 | 水平360度旋轉(zhuǎn)，Z軸行程50.8mm |
光源 | 外置LED環(huán)形光源/同軸光源 |
CCD | 200萬像素/500萬像素/1200萬像素 |
探針臂 | |
X-Y-Z移動(dòng)行程 | 50mm*50mm*50mm |
結(jié)構(gòu) | 外置探針臂，真空波紋管結(jié)構(gòu) |
移動(dòng)精度 | 10微米/1微米 |
線纜 | 同軸線/三軸線/射頻線 |
漏電精度 | 10pA/100fA/10fA |
固定探針 | 彈簧固定/管狀固定 |
接頭類型 | BNC/三軸/香蕉頭/鱷魚夾/接線端子 |
頻率支持 | DC-67GHZ |
針尖直徑 | 0.5微米/1微米/2微米/5微米/10微米/20微米 |
其他組件 | |
真空組件 | 分子泵組/機(jī)械泵/離子泵 |
冷源組件 | 50L/100L液氮罐/液氦罐/制冷機(jī) |
可選附件：
超高溫配件；
顯示器；
轉(zhuǎn)接頭；
射頻測(cè)試配件；
屏蔽箱；
光學(xué)平臺(tái)；
鍍金卡盤；
光電測(cè)試配件；
高壓測(cè)試配件；
分子泵組；
激光系統(tǒng)；
氣敏測(cè)試配件；
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