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供貨周期	一個(gè)月	應(yīng)用領(lǐng)域	綜合

OSI InGaAs光電二極管，700nm-1700nm

OSI InGaAs光電二極管是用于檢測近紅外(700nm-1700nm波長)光的半導(dǎo)體器件。OSI Optoelectronics已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的設(shè)備，適用于該頻譜范圍內(nèi)的大量應(yīng)用，如:背面檢測、功率監(jiān)測、DWDM組件、OTDR測量等。OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

OSI Optoelectronics的10Gbps光電二極管FCI-InGaAs-36C是一款支持OC-192(SONET/SDH)的光敏器件，具有低暗電流和良好的性能穩(wěn)定性。FCI-InGaAs-36C暗電流是0.5nA，電容是0.16pF，在1310nm處的響應(yīng)度是0.85A/W，芯片大小是450x250μm，有效面積是36μm。

陽極和陰極觸點(diǎn)均位于芯片頂面。OSI銦鎵砷光電二極管FCI-InGaAs-36C是10Gbps高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的理想元件、它的光譜范圍從910nm到1650nm。

OSI Optoelectronics的最新產(chǎn)品系列包括超低反射率光電二極管。該InGaAs/InP光電二極管專為電信應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在1520nm至1620nm波長范圍內(nèi)的典型光學(xué)反射率低于0.6%。通過在InGaAs/InP光電二極管表面直接沉積專有的多層抗反射涂層，實(shí)現(xiàn)了在寬波長范圍內(nèi)的超低反射率。

型號	暗電流	電容	帶寬	有效區(qū)域
FCI-InGaAs-36C	0.5nA	0.16pF	9GHz	?36µm
FCI-InGaAs-WCER-LR	1nA	15pF	/	250x500µm

OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

OSI銦鎵砷光電二極管陣列型號

FCI-InGaAs-300B1XX系列是多功能背照式OSI InGaAs光電二極管陣列。它們的標(biāo)準(zhǔn)配置是有源面積為300um的4或8元陣列。背照式InGaAs光電二極管陣列可倒裝到光學(xué)平面上，用于正面或背面照明。它們可以采用傳統(tǒng)安裝方式（有源區(qū)朝上），也可以朝下組裝，從而最大限度地減小整體尺寸。這些低電感、低暗電流和低電容背照式光電二極管陣列可使用或不使用陶瓷基板。

FCI-InGaAs-XXM系列是線性陣列光電二極管，具有4、8、12和16個(gè)陣列，是OSI光電高速紅外敏感OSI InGaAs光電探測器陣列的一部分。每個(gè)AR涂層的元素是能夠2.5Gbps的數(shù)據(jù)速率表現(xiàn)出從1100納米到1620納的高響應(yīng)性。

型號	暗電流	電容	帶寬	有效區(qū)域	元素陣列
FCI-InGaAs-300B1	0.05nA	8pF	100MHz	?300µm	1
FCI-InGaAs-300B1x4	0.05nA	8pF	100MHz	?300µm	4
FCI-InGaAs-300B1x8	0.05nA	8pF	100MHz	?300µm	8
FCI-InGaAs-4M	0.03nA	0.65pF	2GHz	?70µm	4
FCI-InGaAs-8M	0.03nA	0.65pF	2GHz	?70µm	8
FCI-InGaAs-12M	0.03nA	0.65pF	2GHz	?70µm	12
FCI-InGaAs-16M	0.03nA	0.65pF	2GHz	?70µm	16

檢測器放大器混合

FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列是集成了寬動態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊型高速OSI InGaAs光電探測器。將探測器和跨阻放大器集成在一個(gè)密封的4引腳TO-46封裝中，為高速信號放大提供了理想的條件。高速度和高靈敏度使這些器件成為局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想選擇。FCI-H125/250G-InGaAs-XX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。

型號	可供電壓	可供電流	工作波長	輸出阻抗	有效區(qū)域直徑
FCI-H125G-InGaAs-75	3-5.5V	26mA	1100-1650nm	50Ω	75μm
FCI-H250G-InGaAs-75	3-5.5V	35mA	1100-1650nm	50Ω	75μm
FCI-H622M-InGaAs-75	3-3.6V	22mA	1100-1650nm	75Ω	75μm

高速光電二極管

FCI-InGaAs-XXX系列具有75μm、120μm、300μm和500μm的活動區(qū)域尺寸，具有數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用所需的特性。這些器件在1100納米到1620納米范圍內(nèi)具有低電容、低暗電流和高響應(yīng)度的特點(diǎn)，是局域網(wǎng)、城域網(wǎng)、廣域網(wǎng)和其他高速通信系統(tǒng)中使用的高比特率接收器的理想之選。光電二極管封裝在3鉛隔離的TO-46罐或與AR涂層的平面窗口或微透鏡，以提高耦合效率。FCI- InGaAs-XXX系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。

型號	暗電流	電容	上升時(shí)間	有效區(qū)域
FCI-InGaAs-75	0.03nA	1.5pF	0.2ns	?75µm
FCI-InGaAs-120	0.05nA	2pF	0.3ns	?120µm
FCI-InGaAs-300	0.30nA	10pF	1.5ns	?300µm
FCI-InGaAs-500	0.5nA	20pF	10ns	?500µm

OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

大面積光電二極管

FCI-InGaAs-XXX-X系列有源區(qū)尺寸分別為1mm、1.5mm和3mm，是OSI Optoelectronics大有源區(qū)紅外敏感探測器的一部分，在1100nm至1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性，對微弱信號具有很高的靈敏度。這些大有源區(qū)器件非常適合用于紅外儀器和監(jiān)控應(yīng)用。

型號	分流電阻	電容	有效區(qū)域直徑
FCI-InGaAS-1000-X	30MΩ	80pF	1mm
FCI-InGaAs-1500-X	20MΩ	200pF	1.5mm
FCI-InGaAs-3000-X	20MΩ	750pF	3mm

監(jiān)視器光電二極管

OSI Optoelectronics提供廣泛的InGaAs監(jiān)視器光電二極管。它們具有70um，120um，300um，500 um的有效面積，是安裝在金屬化陶瓷基板上的監(jiān)控器光電二極管系列的一部分。這些緊湊的組件設(shè)計(jì)為易于集成。

型號	暗電流	電容	上升時(shí)間	反向電壓（最大值）	有效區(qū)域直徑	封裝
FCI-InGaAs-75-WCER	0.03nA	0.65pF	0.2ns	20V	75μm	環(huán)繞式無鉛陶瓷
FCI-InGaAs-120-WCER	0.05nA	1pF	0.3ns	20V	120μm
FCI-InGaAs-300-WCER	0.3nA	10pF	1.5ns	15V	300μm
FCI-InGaAs-500-WCER	0.5nA	20pF	10ns	15V	500μm
FCI-InGaAs-75-ACER	0.03nA	0.65pF	0.2ns	20V	75μm	楔形無鉛陶瓷
FCI-InGaAs-120-ACER	0.05nA	1pF	0.2ns	20V	120μm
FCI-InGaAs-300-ACER	0.3nA	10pF	1.5ns	15V	300μm
FCI-InGaAs-500-ACER	0.5nA	20pF	10ns	15V	500μm
FCI-InGaAs-75-LCER	0.03nA	0.65pF	0.2ns	20V	75μm	帶兩條水平導(dǎo)線的腔體陶瓷
FCI-InGaAs-120-LCER	0.05nA	1pF	0.3ns	20V	120μm
FCI-InGaAs-300-LCER	0.3nA	10pF	1.5ns	15V	300μm
FCI-InGaAs-75-CCER	0.03nA	0.65pF	0.2ns	20V	75μm
FCI-InGaAs-120-CCER	0.05nA	1pF	0.3ns	20V	120μm
FCI-InGaAs-300-CCER	0.3nA	10pF	1.5ns	15V	300μm
FCI-InGaAs-500-CCER	0.5nA	20pF	10ns	15V	500μm

OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

尾纖光電二極管組件

FCI-InGaAs-XX-XX-XX 有源面積為75um和120um，屬于OSI Optoelectronics的高速紅外敏感探測器系列，采用光纖尾纖封裝。單模/多模光纖與TO-46透鏡蓋封裝的密封OSI InGaAs光電二極管光學(xué)對準(zhǔn)，提高了耦合效率和穩(wěn)定性。

型號	暗電流	電容	上升時(shí)間	有效區(qū)域直徑
FCI-InGaAs-70-XX-XX	0.03nA	0.65pF	0.2ns	75μm
FCI-InGaAs-120-XX-XX	0.05nA	1pF	0.3ns	120μm
FCI-InGaAs-70C-XX-XX	0.03nA	0.65pF	0.2ns	75μm
FCI-InGaAs-120C-XX-XX	0.05nA	1pF	0.3ns	120μm

OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器

四象限InGaAs光電二極管

FCI-InGaAs-QXXX系列是有效面積大OSI InGaAs光電探測器，分為四個(gè)獨(dú)立的有效區(qū)域。這些光電二極管在1毫米和3毫米的有源區(qū)直徑。InGaAs系列具有高響應(yīng)性、高均勻性和元件之間的低串?dāng)_是精確調(diào)零或?qū)χ行膽?yīng)用以及光束輪廓分析應(yīng)用的理想選擇。它們在1100nm至1620nm范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的響應(yīng)性，并且在時(shí)間和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定，響應(yīng)時(shí)間快，適合高速或脈沖操作。OSI InGaAs光電二極管，銦鎵砷探測器