Laser Components雪崩硅光電二極管 返回列表頁

260-1100nm，高增益、極低噪聲的Laser Components Si-APD

自2004年Laser Components Detector Group Inc. 成立以來，已經(jīng)建立了一個產(chǎn)品系列，包括高質(zhì)量的 APD和低成本版本，有效區(qū)域范圍從230μm到3mm不等。根據(jù)類型和規(guī)格，APD用于工業(yè)、軍事和醫(yī)療市場中的測距、速度測量、激光雷達、安全掃描儀、光譜學(xué)、熒光測量以及測試和測量系統(tǒng)。硅材料雪崩光電二極管在光線不足時有效。LC硅雪崩光電二極管采用不同的TO外殼，具有某些選項，例如鏡頭蓋、集成濾光片、帶 TEC、SMD外殼或僅在陶瓷底座上。TO-46外殼中的所有硅材料APDs均提供可選光纖耦合。Laser Components雪崩硅光電二極管

SAE系列：

LC硅雪崩光電二極管SAE系列采用外延結(jié)構(gòu)，可提供紅光增強（即針對可見光波長優(yōu)化）或近紅外增強（即針對近紅外波長優(yōu)化）版本。這些雪崩硅光電二極管價格低廉，具有非常大的增益和動態(tài)范圍。硅雪崩光電二極管SAE系列分為紅外增強型SAE230VS和SAE500VS，近紅外增強型SAE230NS和SAE500NS。雪崩二極管SAE系列的增益都是倍增的，M>100，有效區(qū)域500μm（近紅外增強型SAE230NS和SAE500NS還包含250μm區(qū)域）。應(yīng)用范圍主要是測距和光通信系統(tǒng)。

SAR/SARP/SARF系列光電二極管：

       SAR系列基于直通結(jié)構(gòu)，在400nm至1100nm的整個光譜范圍內(nèi)具有高靈敏度。同時，上升和下降時間非?？欤ㄍǔ?span style=";padding: 0px">450ps）。這些APD具有極低噪聲、低暗電流等特點。

特別選擇的APD（SARP 系列）也可用于蓋革模式下的光子計數(shù)（VR> VBR），其中單個光子觸發(fā)大約10的雪崩脈沖充電載體。該APD特別適用于光譜學(xué)、熒光測量、醫(yī)療技術(shù)和激光雷達應(yīng)用。

雪崩Si-APD最常見的應(yīng)用之一是基于飛行時間法（LIDAR）的測距系統(tǒng)。在飛行時間法中，905n脈沖激光二極管發(fā)射激光脈沖，該激光脈沖從物體上反射，并通過光學(xué)器件聚焦到APD芯片上。為了實現(xiàn)最佳的信噪比，必須在APD或光學(xué)器件的前面安裝一個阻擋周圍光線的外部帶通濾光片。在新的SARF系列中，該濾光片已經(jīng)集成到TO外殼中。

SAHA系列：

低成本雪崩二極管SAHA系列采用微型SMD封裝。響應(yīng)度針對850nm和905nm測距儀進行了優(yōu)化。還提供905nm帶通濾光片。LC硅雪崩光電二極管SAHA系列的增益都是倍增的，M>100，有效區(qū)域包含230μm和500μm。硅材料APDsSAHA系列和SAE/SAR/SARP/SARF系列中的SARF一樣也可用于飛行時間法（LIDAR）的測距系統(tǒng)。

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