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上海申思特自動(dòng)化設(shè)備有限公司
主營產(chǎn)品： 美國E E傳感器,美國E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
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主營產(chǎn)品： 美國E E傳感器,美國E E減壓閥,意大利ATOS阿托斯油缸,丹麥GRAS麥克風(fēng),丹麥GRAS人工頭, ASCO電磁閥,IFM易福門傳感器 |
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| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | |||
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微型納米E+E位移傳感器干涉信號處理技術(shù) 簡單介紹：微型納米E+E位移傳感器干涉信號處理技術(shù) 當(dāng)今超精密加工技術(shù)的迅猛發(fā)展促成納米三坐標(biāo)測量機(jī)的誕生，其中的關(guān)鍵技術(shù)是研制具有納米級分辨率的E+E位移傳感器?；趯?shí)驗(yàn)室所研制的微型納米E+E位移傳感器，研究其干涉信號處理技術(shù)，并發(fā)展了DSP處理機(jī)系統(tǒng)研究信號計(jì)數(shù)與細(xì)分技術(shù)，Z后基于實(shí)驗(yàn)室的納米三坐標(biāo)測量機(jī)，在E+E位移傳感器信號的反饋下，完成機(jī)臺的運(yùn)動(dòng)控制。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-20 |
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調(diào)幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路 簡單介紹：調(diào)幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路 針對調(diào)幅式電容位移E+E傳感器解調(diào)過程中由系統(tǒng)不確定相移導(dǎo)致的信號解調(diào)不準(zhǔn)確問題,提出了一種基于改進(jìn)的峰值保持電路的調(diào)幅式電容位移傳感測量方法。分析了調(diào)幅式電容位移E+E傳感器及其檢測電路的工作原理,在研究調(diào)幅信號附加相移產(chǎn)生機(jī)理的基礎(chǔ)上,提出了延遲反饋式峰值保持電路,用以去除附加相移對峰值解調(diào)的影響。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-19 |
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真空微電子E+E壓力傳感器的研究 簡單介紹：真空微電子E+E壓力傳感器的研究 壓力是過程自動(dòng)化五大參量中的首要參量，作為壓力信息獲取的核心元件的E+E壓力傳感器，在石油、化工、冶煉、電力、儀器儀表、機(jī)械、汽車、智能結(jié)構(gòu)、航空航天、國防等領(lǐng)域中是*、量大面廣的基礎(chǔ)元件，它已經(jīng)成為現(xiàn)代信息技術(shù)的重要組成部分，在當(dāng)代科技領(lǐng)域中占有十分重要的地位。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究 簡單介紹：嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究 壓阻式E+E壓力傳感器是利用半導(dǎo)體材料硅的壓阻效應(yīng)制成的傳感器,具有靈敏度高,動(dòng)態(tài)響應(yīng)快,測量精度高,穩(wěn)定性好,工作溫度范圍寬,易于小型化與微型化,便于批量生產(chǎn)與使用方便等特點(diǎn)。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動(dòng)力學(xué) 簡單介紹：碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動(dòng)力學(xué) 自碳納米管和硅納米管/線被發(fā)現(xiàn)以來,以其特殊的力電特性引起了科學(xué)家廣泛的關(guān)注。特別是在運(yùn)用E+E壓力傳感器方面,可以顯著提高傳感器的靈敏度和量程。因此,以碳納米管和硅納米管/線為研究對象,使用分子動(dòng)力學(xué)方法和壓電理論分析了新型的碳納米管和硅納米管/線E+E壓力傳感器的各項(xiàng)力電性能。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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數(shù)字式E+E壓力傳感器研究 簡單介紹：數(shù)字式E+E壓力傳感器研究 機(jī)械式壓力開關(guān)和有源壓力敏感元件復(fù)合組成的E+E壓力傳感器，在高沖擊10000g，寬溫度范圍-40℃～100℃條件下，實(shí)現(xiàn)量程范圍0～1MPa的高精度測量，具有模擬線性輸出、TTL電平輸出、數(shù)字輸出和數(shù)據(jù)通信功能的復(fù)合E+E壓力傳感器。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù) 簡單介紹：多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù) 多晶硅納米膜是一種具有良好壓阻特性的納米材料,基于多晶硅納米膜的E+E壓力傳感器具有靈敏度高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)好、精度高、穩(wěn)定性好、易于小型化和批量生產(chǎn)等諸多優(yōu)點(diǎn)。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測電路優(yōu)化 簡單介紹：MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測電路優(yōu)化 近年來隨著MEMS傳感器技術(shù)的飛躍和進(jìn)步,微電容傳感器在工藝上實(shí)現(xiàn)了易于集成化、功能多樣化以及更加微型化。使得包括微型加速度計(jì)、微型溫度傳感器、微型E+E壓力傳感器、醫(yī)學(xué)傳感器、生物傳感器等得到廣泛應(yīng)用。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器 簡單介紹：金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器 目前，絕大多數(shù)大壩滲壓監(jiān)測系統(tǒng)采用的機(jī)電測試設(shè)備普遍存在抗干擾能力弱、長期穩(wěn)定性差、相對誤差、零漂和動(dòng)漂較大等缺點(diǎn)而很難滿足實(shí)際需要。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片 簡單介紹：多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片 硅基壓阻式E+E壓力傳感器應(yīng)用廣泛,在傳感器中具有十分重要的地位。該傳感器的發(fā)展方向是小型化、高靈敏度、良好溫度特性和集成化,研究表明多晶硅納米薄膜具有良好的壓阻特性,并較好地應(yīng)用于體硅E+E壓力傳感器。但該材料現(xiàn)有的的壓阻系數(shù)算法理論推導(dǎo)存在一定欠缺,且該材料的應(yīng)用范圍亟待擴(kuò)大。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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壓力E+E傳感器仿真平臺的研究 簡單介紹：壓力E+E傳感器仿真平臺的研究 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,對壓力E+E傳感器新技術(shù)的不斷需求,壓力E+E傳感器計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)越來越被關(guān)注。以實(shí)用為原則,基于Visual C++和ANSYS接口技術(shù)開發(fā)了參數(shù)化壓力E+E傳感器有限元分析系統(tǒng),該系統(tǒng)有助于推動(dòng)壓力E+E傳感器行業(yè)向更高水平發(fā)展。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-16 |
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耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究 簡單介紹：耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究 電渦流E+E傳感器是一種非接觸式的位移E+E傳感器，具有頻率響應(yīng)好，測量分辨率高，無運(yùn)動(dòng)部件，性能可靠等優(yōu)點(diǎn)。常應(yīng)用于位移測量、無損探傷、厚度測量等方面。但也存在不能在高壓環(huán)境下（如液壓系統(tǒng)）工作和對溫度敏感等不足。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-15 |
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納米位移E+E傳感器信號采集與處理 簡單介紹：納米位移E+E傳感器信號采集與處理 隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,眾多高科技領(lǐng)域均已進(jìn)入了納米世界,如航天產(chǎn)品的加工與制造、精密元器件的測量、高密度集成電路等等。由于納米尺度具有接近于原子和分子尺寸的特點(diǎn),一般的常規(guī)技術(shù)已不再適用,因此,研究納米技術(shù),特別是納米操作與測量技術(shù)就成為當(dāng)前各國研究的熱點(diǎn)方向。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-15 |
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差分式電容位移E+E傳感器標(biāo)定平臺 簡單介紹：差分式電容位移E+E傳感器標(biāo)定平臺 電容位移E+E傳感器作為一種傳統(tǒng)非接觸式E+E傳感器，具有結(jié)構(gòu)簡單、響應(yīng)時(shí)間短、分辨率高、適合在線和動(dòng)態(tài)測量等優(yōu)點(diǎn)，主要用于位移、角度、振動(dòng)、加速度、壓力以及濃度等方面的測量，被廣泛用于地球科學(xué)、高科技電子、航空航天及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-14 |
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電容位移E+E傳感器溫度漂移主動(dòng)抑制技術(shù) 簡單介紹：電容位移E+E傳感器溫度漂移主動(dòng)抑制技術(shù) 電容式位移E+E傳感器由于具有分辨率高、頻響高、可實(shí)現(xiàn)非接觸式測量等優(yōu)點(diǎn),在精密加工、高精度定位、超精密測量等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。由于電容位移E+E傳感器信號轉(zhuǎn)換和處理電路存在模擬環(huán)節(jié),因此其傳感特性易寄生電容等寄生參數(shù)和溫度的影響。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-14 |
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直線式時(shí)柵位移E+E傳感器精度研究 簡單介紹：直線式時(shí)柵位移E+E傳感器精度研究 時(shí)柵是采用“以時(shí)間測空間"的思想原理,*不同于光柵等基于空間精密刻劃技術(shù)的各種傳統(tǒng)位移E+E傳感器,歷經(jīng)十幾年的努力,圓分度時(shí)柵位移E+E傳感器的研究已有很大突破,已在計(jì)量部門、制造業(yè)和國防軍工三大領(lǐng)域獲得快速推廣,充分展現(xiàn)其制造工藝簡單、抗干擾能力強(qiáng)、成本低、智能化程度高等顯著優(yōu)勢,具有很好的市場前景。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-14 |
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平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器設(shè)計(jì) 簡單介紹：平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器設(shè)計(jì) 提出了一種可用于原子力顯微鏡的基于平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器。E+E傳感器在GaAs薄膜結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了懸臂梁與平面環(huán)形微腔的一體化集成,以平面環(huán)形微腔的透射譜對懸臂梁位移極其敏感的特性為理論依據(jù),結(jié)合了光學(xué)E+E傳感器的高精度、高靈敏度特性以及微機(jī)械的體積小、工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-14 |
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線位移E+E傳感器自動(dòng)校準(zhǔn)裝置研究 簡單介紹：線位移E+E傳感器自動(dòng)校準(zhǔn)裝置研究 線位移E+E傳感器在國防軍工產(chǎn)品生產(chǎn)、試驗(yàn)過程中用途很多，其校準(zhǔn)工作在航天航空設(shè)備制造和試驗(yàn)過程中非常重要，線位移E+E傳感器的校準(zhǔn)技術(shù)決定了E+E傳感器校準(zhǔn)的精度和效率，而當(dāng)前主要使用的線位移校準(zhǔn)設(shè)備，存在工作效率低、測量可靠性差、測量范圍?。砍淘?00mm以下）等缺點(diǎn)，難以確定線位移E+E傳感器性能指標(biāo)的可靠性。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-14 |
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高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器 簡單介紹：高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器 隨著當(dāng)今社會(huì)飛速發(fā)展，光纖位移E+E傳感器具有結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計(jì)靈活、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，因而在通信、城市建設(shè)、醫(yī)療、交通、能源和航天等工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用和良好的發(fā)展?jié)摿?。微位移檢測是常規(guī)檢測的基礎(chǔ)，而光纖位移E+E傳感器可實(shí)現(xiàn)微距的非接觸測量，因此將光纖傳感技術(shù)應(yīng)用于測量領(lǐng)域，成為技術(shù)發(fā)展的主導(dǎo)方向，備受人們關(guān)注。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-12 |
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電感位移E+E傳感器及其信號線性化處理 簡單介紹：電感位移E+E傳感器及其信號線性化處理 電感位移E+E傳感器具有結(jié)構(gòu)簡單可靠、輸出功率大、線性好、抗干擾和穩(wěn)定性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。它是利用電磁感應(yīng)原理將機(jī)械位移變化轉(zhuǎn)換成電量輸出的檢測裝置。其作為一種精密的位移檢測部件在很多領(lǐng)域都起著重要的作用。 產(chǎn)品型號： 所在地：上海市 更新時(shí)間：2016-12-12 |
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