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參考價(jià)	面議

實(shí)驗(yàn)室電子產(chǎn)品

微型多通道電流放大器

膜厚測(cè)量?jī)x

強(qiáng)度調(diào)制器

單光子計(jì)數(shù)器

相位調(diào)制器

電光調(diào)制器

鎖相放大器

產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,電子
精度	0.01nm或0.01%

膜厚測(cè)量?jī)x（測(cè)量厚度1nm~1.8mm）美國(guó)Semisonsoft公司MProbe系列薄膜測(cè)厚儀測(cè)量厚度可以低至1nm，厚至1.8mm，埃級(jí)分辨率，非接觸式無(wú)損快速測(cè)量。廣泛應(yīng)用在各種生產(chǎn)或研究中，比如測(cè)量薄膜太陽(yáng)能電池的CIGS層，觸摸屏中的ITO層等。大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。

詳細(xì)介紹

膜厚測(cè)量?jī)x（測(cè)量厚度1nm~1.8mm）MPROBE - MAKING THIN FILMS THICKNESS MEASUREMENT EASY

美國(guó)Semisonsoft公司MProbe系列薄膜測(cè)厚儀測(cè)量厚度可以低至1nm，厚至1.8mm，埃級(jí)分辨率，非接觸式無(wú)損快速測(cè)量。廣泛應(yīng)用在各種生產(chǎn)或研究中，比如測(cè)量薄膜太陽(yáng)能電池的CIGS層，觸摸屏中的ITO層等。大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量

測(cè)量原理：當(dāng)規(guī)定波長(zhǎng)范圍的光照射到薄膜上時(shí)，從不同界面上反射的光相位不同，從而引起干涉導(dǎo)致強(qiáng)度相長(zhǎng)或相消。而這種強(qiáng)度的振蕩是與薄膜的結(jié)構(gòu)相關(guān)的。通過(guò)對(duì)這種振蕩擬合和傅里葉變換就可獲得樣品厚度和相關(guān)的光學(xué)常數(shù)。

比如：

半導(dǎo)體（硅，單晶硅，多晶硅）

半導(dǎo)體化合物（AlGaAs, InGaAs，CdTe, CIGS）

微電子機(jī)械（MEMS）

氧化物/氮化物

光刻膠

硬涂層（碳化硅，類(lèi)金剛石炭）

聚合物涂層（聚對(duì)二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺）

高分子聚合物

MProbe膜厚測(cè)量?jī)x（測(cè)量厚度1nm~1.8mm）操作簡(jiǎn)單，只需一鍵操作即可獲得樣品的厚度、折射率（n, k）和表面粗糙度等信息，膜厚測(cè)量設(shè)備可支持不同光譜范圍，光譜范圍可達(dá)200-1700nm，因此可測(cè)量厚度范圍可從1nm到2mm。設(shè)備中無(wú)移動(dòng)組件，所以測(cè)量結(jié)果幾乎是即時(shí)得到的；TFCompanion測(cè)量軟件使得測(cè)量過(guò)程非常簡(jiǎn)單且透明，測(cè)量歷史、動(dòng)態(tài)測(cè)量、模擬、顏色分析、直接在樣品圖像上顯示結(jié)果。

膜厚測(cè)量?jī)x分類(lèi)：

1、單點(diǎn)膜厚測(cè)量——MPROBE-20

MPROBE-20膜厚測(cè)量?jī)x是一款臺(tái)式單點(diǎn)膜厚測(cè)量設(shè)備，設(shè)備操作簡(jiǎn)單，一鍵獲得樣品的厚度和折射率，并可提供不同波段范圍（適用于不同厚度薄膜）選擇。MPROBE-20具有以下幾種型號(hào)，客戶(hù)可根據(jù)自己所需的波長(zhǎng)范圍和薄膜厚度進(jìn)行選擇。

可供選擇型號(hào)：

型號(hào)	波長(zhǎng)范圍	核心配置	厚度范圍
VIS	200nm -1100nm	F3 Ariel Spectrometer, 2048/4096 pix cmos, 16 bit ADC, 5W Tungsten-Halogen lamp	10nm – 75 μm
UVVISSR	700nm -1100nm	F4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp	1nm -75μm
VIS-HR	900nm-1700nm	F4 Spectrometer, 2048 pix (backthinned),16 bit ADC, 5W TH lamp	1μm-400μm
NIR	200nm-800nm	F4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp	50nm – 85μm
UVVisF	200nm -1700nm	F4 spectrometer, Si detector 2048 pixels ccd, 16 bit ADC, 10W Xe flash lamp	1nm – 5μm
UVVISNIR	1500nm-1550nm	F4 Spectrometer, 2048pix (backthinned),16 bit ADC 20W TH lamp, 30W Deuterium short-ark lamp. F4spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp	1nm -75μm
NIRHR	200nm -1100nm	F4 spectrometer, InGaAs detector 512 pix., 16 bit ADC, 5W TH lamp or SLDoption	10μm-1800μm (glass)4μm-400μm (Si)

2、單點(diǎn)手持膜厚測(cè)量——MPROBE HC

MPROBE HC膜厚測(cè)量?jī)x是一款基于MPROBE-20平臺(tái)開(kāi)發(fā)專(zhuān)用于測(cè)量曲面和大型零件上的涂層，用手動(dòng)探針代替樣品臺(tái)。

主要參數(shù)：

精度	0.01nm或0.01%
準(zhǔn)確度	0.2%或1nm
穩(wěn)定性	0.02nm或0.03%
聚焦點(diǎn)尺寸	0.2mm或0.4mm
樣品尺寸	>25mm
厚度范圍	0.05-70um

3、聚焦光斑膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 40

MPROBE 40是一款聚焦的小光斑膜厚測(cè)量系統(tǒng)，該產(chǎn)品將顯微系統(tǒng)和膜厚測(cè)量設(shè)備結(jié)合起來(lái)，用于對(duì)膜厚的微區(qū)測(cè)量，光斑可達(dá)2μm。該設(shè)備集成相機(jī)和軟件，可精確顯示待測(cè)位置，并同時(shí)顯示測(cè)量結(jié)果。

該設(shè)備有不同波長(zhǎng)范圍可選，可供選擇的產(chǎn)品型號(hào)如下：

4、原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x——MPROBE 50 INSITU

MPROBE 50 INSITU是一款支持原位測(cè)量膜厚測(cè)量?jī)x，該設(shè)備采用門(mén)控?cái)?shù)據(jù)采集方式因此可以在高環(huán)境光的條件下工作。此外該型號(hào)膜厚測(cè)量?jī)x支持定制以滿(mǎn)足不同形狀的真空腔。根據(jù)可用的光學(xué)窗口，支持斜入射和垂直入射。光線可以聚焦樣品表面或準(zhǔn)直,探測(cè)探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口內(nèi)部或外部，由于該膜厚測(cè)量?jī)x沒(méi)有移動(dòng)部件，通常測(cè)量時(shí)間約10ms。