當(dāng)使用離子束拋光表面時，要充分考慮所使用的拋光參數(shù)對樣品中每個組分的拋光效果，從而實現(xiàn)層界面和晶粒結(jié)構(gòu)清晰可見。相比于離子拋光厚度，較大的角度可用于選擇性地拋光，從而提高成像襯度。例如，多晶材料中，不同取向的晶粒具有不同的拋光速率，因此經(jīng)襯度增強(qiáng)后，晶粒結(jié)構(gòu)清晰可見。同樣，也可以使用襯度增強(qiáng)方法來拋光橫截面。大多數(shù)情況下，在經(jīng)歷研磨和機(jī)械拋光后，很難辨認(rèn)樣品中的晶?；?qū)咏缑?。因此，通常會對拋光后的樣品表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕。離子束拋光能很好地用于提高樣品表面的成像襯度。襯度增強(qiáng)通常作為表面修飾的最后一步。在進(jìn)行襯度增強(qiáng)之前，使用離子拋光對樣品表面進(jìn)行清理是非常重要的。

優(yōu)點

* 比化學(xué)腐蝕更快，且操作過程非常干凈清潔

* 應(yīng)用范圍廣泛，特別適合那些不能使用化學(xué)腐蝕的樣品表面

可能的應(yīng)用

* 金屬、半導(dǎo)體、陶瓷，甚至一些有機(jī)材料，如骨頭；

* 一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域，如一些不能使用化學(xué)腐蝕或只能有限使用化學(xué)腐蝕的材料或組合材料。

應(yīng)用實例

● 微電子結(jié)構(gòu)的截面拋光

● 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)斷裂后，揭示顯露其中的單獨結(jié)構(gòu)

● 對多層構(gòu)件進(jìn)行拋光，獲取層厚信息

● 對具有不同硬度的層組成的多層系統(tǒng)進(jìn)行拋光，揭示顯露其界面結(jié)構(gòu)

案例分享

多晶材料的襯度增強(qiáng)

目的

離子拋光能非常好地代替化學(xué)腐蝕，特別是對于多晶材料，如銅。離子拋光能用于增加晶粒結(jié)構(gòu)和晶界的襯度。相比于化學(xué)腐蝕，離子拋光過程是干凈清潔，安全和易于操作的。所使用的離子束能量，取決于材料的拋光速率。

制備參數(shù)

加速電壓: 2kV

槍電流: 1.5mA

拋光角度: 48°

拋光時間: 3分鐘

結(jié)果

銅的拋光速率很高，因此，經(jīng)歷3分鐘的短時間拋光后，其晶粒結(jié)構(gòu)就清晰可見。

圖1 經(jīng)過離子束切割后的銅的表面形貌（如上圖）

圖2 在使用離子拋光進(jìn)行襯度增強(qiáng)后，銅表面的形貌

應(yīng)用案例 | 離子束拋光之襯度增強(qiáng)

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