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Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80

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更新時(shí)間:2024/09/24 14:21:44瀏覽次數(shù):1808

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品牌 牛津儀器
Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。

詳細(xì)介紹

 

Oxford RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)PlasmaPro 80

 

PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。

●  直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓

●  出色的刻蝕控制和速率測(cè)定

●  出色的晶圓溫度均勻性

●  晶圓最大可達(dá)200mm

●  購(gòu)置成本低

●  符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)

 

   

 

 

 

 

 

 

 

   應(yīng) 用    

●  III-V族材料刻蝕工藝

●  硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

●  類金剛石(DLC)沉積

●  二氧化硅和石英刻蝕

●  用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓

●  用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模的刻蝕

 

   系統(tǒng)特點(diǎn)    

●  小型系統(tǒng) —— 易于安置
●  優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
●  高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱)抽氣結(jié)構(gòu) —— 確保能提升工藝均勻性和速率
●  增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能—— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
●  近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達(dá)到所要求的低真空度
●  關(guān)鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡(jiǎn)單
●  X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息處理能力, 并且可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配
●  通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷 —— 故障診斷速度快
●  用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來(lái)確定非透明材料(如金屬)的邊界
●  用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— 監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

 

 

RIE of InP waveguide

7 µm polyimide feature RIE

Sub µm Si mesa etch

 

Deep Si feature etch by ICP-RIE
cryo process

 

Failure analysis - fast metal layer
exposure in the PlasmaPro FA ICP
 

 

 

 

 

新增: PTIQ軟件

 

PTIQ是針對(duì)PlasmaPro和Ionfab工藝系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的最新智能軟件解決方案。

● 對(duì)響應(yīng)系統(tǒng)出色的控制水平

● 最da化系統(tǒng)性能與工藝性能

● 多級(jí)別軟件配置以匹配用戶需求

● 全新的視覺(jué)布局與設(shè)計(jì)界面

 

 

 

 

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