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掃描電鏡SEM原位氣氛加熱環(huán)境測(cè)量系統(tǒng)

         掃描電鏡原位氣氛環(huán)境測(cè)量系統(tǒng)將MEMS氣氛環(huán)境微腔和加熱模塊集成到掃描電鏡樣品臺(tái)上，在掃描電鏡中制造可控的氣氛環(huán)境并且可以對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品原位加熱。該系統(tǒng)允許研究者在氣氛環(huán)境中原位、動(dòng)態(tài)、高分辨地對(duì)樣品的形貌結(jié)構(gòu)和化學(xué)組分進(jìn)行綜合表征，大大拓展了掃描電鏡的功能與應(yīng)用領(lǐng)域。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的觀測(cè)條件，使研究者可以在掃描電鏡中實(shí)時(shí)觀測(cè)催化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長/合成以及各類腐蝕反應(yīng)，將您的掃描電鏡從一臺(tái)靜態(tài)成像工具升級(jí)為一套功能強(qiáng)大的納米實(shí)驗(yàn)室。

性能指標(biāo)

 

氣體流動(dòng)指標(biāo)：

● 三通道混氣；

● 氣壓范圍：0 - 1 Bar；

● 氣壓準(zhǔn)確度：30 mBar；

● 氣體流速： 0.01 - 0.4 ml/min；

● 可通氣體：H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等；

● 軟件控制。

掃描電鏡指標(biāo)：

● 兼容類型電鏡；

● 保證電鏡原有真空度；

● MEMS反應(yīng)微腔指標(biāo)：

● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度30 nm；

● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min。

熱學(xué)指標(biāo)：

● 溫度范圍：室溫至800 ℃；

● 溫度準(zhǔn)確度：優(yōu)于5%； 

● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；

● 四電極加熱，帶溫度反饋；

● 軟件控制。

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