半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng) 返回列表頁

1．技術(shù)性能指標

1. 物理指標：設(shè)備尺寸（mm）：800(寬)×600(長)×1800(高)mm；

2．電學指標

主極電壓2000V

主極電流2500A

控制極電壓20V

控制極電流10A

電壓分辨率1mV

電流分辨率100pA

測試速度5mS/參數(shù)

晶體管：TRANSISTOR（NPN 型/PNP 型）

測試參數(shù)：ICBO（發(fā)射極開路時集電極-基極的反向電流）、ICEO（集電極-發(fā)射極漏流）、IEBO（發(fā)射極

-基極間的漏流）、BVCEO（集電極-發(fā)射極的擊穿電壓）、BVCBO（集電極-基極的擊穿電壓）、BVEBO（發(fā)

射極-基極的擊穿電壓）、hFE（放大倍數(shù)）、VCESAT（集電極-發(fā)射極間的飽和壓降）、VBESAT（基極-發(fā)

射極間的飽和壓降）、VBE(基極-發(fā)射極間的非飽和壓降)