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HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底

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更新時(shí)間:2024-01-22 17:24:19瀏覽次數(shù):157次

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HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底
單層氮化硼薄膜(銅基)通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼(h-BN)薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結(jié)構(gòu)材料,類似于石墨烯。它具有一些性質(zhì),如良好的熱穩(wěn)定性、電絕緣性和光學(xué)透明性。

HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底

中文名稱:?jiǎn)螌拥鸨∧?銅基),HBN薄膜

英文名稱:Monolayer boron nitride film(HBN)

CAS號(hào):7440-42-8

覆蓋率:100%

基底:Cu

晶粒尺寸:>4 um

單層率:大約80%

應(yīng)用:HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結(jié)構(gòu)的超薄間隔層,以及電子的隧道阻擋層,使其具有廣泛的應(yīng)用,例如納米電容器、場(chǎng)效應(yīng)隧道晶體管。作為單分子膜還可被用作介質(zhì)或基片。

保存條件:常溫干燥避光密封保存,保存期限半年。

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HBN薄膜,單層氮化硼薄膜,銅基底

單層氮化硼薄膜(銅基)通常指的是在銅基底上制備的單層氮化硼(h-BN)薄膜。氮化硼是一種由硼和氮原子組成的二維晶格結(jié)構(gòu)材料,類似于石墨烯。它具有一些性質(zhì),如良好的熱穩(wěn)定性、電絕緣性和光學(xué)透明性。

在制備單層氮化硼薄膜時(shí),通常會(huì)采用化學(xué)氣相沉積(CVD)等技術(shù),將氮化硼沉積在銅基底上,形成單層薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可以在電子器件、光電子器件和其他應(yīng)用中發(fā)揮作用。

HBN薄膜的特性使其在一些領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,例如作為絕緣層、潤(rùn)滑材料、二維材料堆疊中的組裝層等。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

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