HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底 返回列表頁

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底

中文名稱：HBN薄膜，單層氮化硼薄膜SiO2/Si基

英文名稱：Monolayer boron nitride film（HBN）

CAS號：7440-42-8

尺寸描述：參數描述中尺寸為連續(xù)氮化硼薄膜尺寸，基底尺寸偏大

基底：SiO2/Si

晶粒尺寸：>4 um

氧化層：300 nm

硅：500 um

應用：HBN薄膜可被用作金屬絕緣金屬結構的超薄間隔層，以及電子的隧道阻擋層，使其具有廣泛的應              用，例如納米電容器、場效應隧道晶體管。作為單分子膜還可被用作介質或基片。

保存條件：常溫干燥避光密封保存

HBN薄膜，單層氮化硼薄膜，SiO2/Si基底

單層氮化硼薄膜（HBN）在SiO2/Si基底上制備通常是通過化學氣相沉積（CVD）等技術實現的。以下是一般的制備步驟：

基底準備： 使用硅（Si）基底，并在其表面形成一層二氧化硅（SiO2）薄膜。這一步通常通過熱氧化或物理沉積等方法完成。

CVD沉積： 使用化學氣相沉積技術，將氮化硼（HBN）薄膜沉積在SiO2/Si基底表面。在CVD過程中，預先選擇的前體氣體（包含氮和硼的化合物）通過熱分解或化學反應，使HBN層逐層形成在SiO2/Si基底上。

調控層厚： 通過控制CVD參數，如溫度、氣體流速和反應時間，可以調控HBN薄膜的厚度。

后續(xù)處理： 可能需要進行后續(xù)的退火或其他處理步驟，以優(yōu)化薄膜結構和性能。

這樣制備的單層氮化硼薄膜在SiO2/Si基底上可以用于多種應用，包括電子器件、傳感器、光學器件等領域。

【推薦產品】

MoSe2薄膜 硅片基底

MoSe2連續(xù)薄膜 柔性PET基底

MoSe2薄膜 光學石英基底

MoSe2薄膜 藍寶石(雙面拋光)基底

MoSe2薄膜 藍寶石(單面拋光)基底

MoSe2薄膜 SiO2/Si 基底

SiO2/Si基底二碲化鉬薄膜(MoTe2)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.22.         

以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

【溫馨提示】

西安昊然生物科技有限公司供應的產品僅用于科研，不能用于人體治療、藥物開發(fā)、和其他商業(yè)用途，如有購買方或第三方采購我公司的產品用于治療、藥物開發(fā)或商業(yè)用途，購買方或第三方將承擔所有法律責任，我公司也將追究其法律責任。以上產品均可定購。