二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜 返回列表頁

二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜

中文名稱：二硫化鉬薄膜

英文名稱：MoS2薄膜

純度：99%

保存時間：1年

規(guī)格：mg/g

包裝：瓶裝/袋裝

儲藏條件：-20°C 下避光保存

用途：僅用于科研，不能用于人體

二硫化鉬薄膜、MoS2薄膜、CVD二維薄膜

基本性質(zhì)：

無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導(dǎo)體，屬于過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。

制造方法：

化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

簡介：

MoS2薄膜分為多種：

1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。

2） 由三角晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜。

3） 多層MoS2 連續(xù)薄膜。

4） 基底：MoS2可選基底較多，其中硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。

應(yīng)用領(lǐng)域：

光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。

包裝及規(guī)格：

10*10mm，15*15mm，20*20mm，2英寸圓片，4英寸圓片

凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.24.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

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