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所 在 地西安市
更新時間:2024-01-30 17:24:18瀏覽次數(shù):154次
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CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)
【基本信息】
中文名稱:碲化銻薄膜
英文名稱:Sb2Te3
純度:99.9%
存儲:-20℃冷藏、密封、避光
保存時間:1年
用途:僅用于科研,不能用于人體
CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)
【詳情描述】
碲化銻(Sb2Te3):
性質(zhì): 碲化銻是一種拓撲絕緣體,同時也是一種熱電材料。在薄層形式下,它具有電學(xué)性質(zhì),表現(xiàn)出拓撲絕緣體行為。
應(yīng)用: Sb2Te3在熱電材料領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,特別是在相變存儲器(Phase Change Memory,PCM)等器件中。
CVD二維薄膜:
CVD(化學(xué)氣相沉積): CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。在納米科技中,CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。
應(yīng)用: CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量,適用于納米電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器等應(yīng)用領(lǐng)域
【推薦產(chǎn)品】
MoSe2薄膜 藍寶石(雙面拋光)基底
MoSe2薄膜 藍寶石(單面拋光)基底
MoSe2薄膜 SiO2/Si 基底
SiO2/Si基底二碲化鉬薄膜(MoTe2)
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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