CuInP2Se6晶體，拓撲材料，半導體CuInP2Se6是一種由銅（Cu）、銦（In）、磷（P）、硒（Se）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。這...

CuBi3PbS6晶體，拓撲絕緣體CuBi3PbS6是一種由銅（Cu）、鉍（Bi）、鉛（Pb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。這種化合...

Cu3SbS3晶體，拓撲絕緣體Cu3SbS3是一種由銅（Cu）、銻（Sb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現為層狀結構的晶體材料。這種化合物屬于半導體材料的一...

碘化鉻晶體，CrI3碘化鉻（Chromium iodide）是由鉻（Chromium，Cr）和碘（Iodine，I）元素形成的化合物。它有幾種不同的物種，如Cr...

CrBi4Te7晶體，拓撲材料CrBi4Te7是由鉻（Cr）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于多鐵材料的一種。

CrBi2Te4晶體，拓撲材料CrBi2Te4是由鉻（Cr）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于拓撲絕緣體的一種。這種化合物在研究中引起了一定的關注，...

拓撲絕緣體，CrTe2晶體CrTe2是由鉻（Cr）和碲（Te）元素組成的化合物，通常呈現出層狀結構的晶體材料。這種化合物屬于過渡金屬碲化物，具有一定的磁性和電學...

Cr2Si2Te6晶體， CrSiTe3，磁性拓撲絕緣體Cr2Si2Te6在自旋電子學和磁性存儲方面有著一定的研究價值。它顯示出可調控的磁性和自旋特性，這使得它...

二硫化三鉻晶體，Cr2S3Cr2S3呈現出不同的晶體結構，如六方晶系或三方晶系。它是一種過渡金屬硫化物，具有一定的磁性和光學性質。Cr2S3具有磁性，在研究磁學...

Cr2Ge2Te6晶體， CrGeTe3，磁性拓撲絕緣體Cr2Ge2Te6在自旋電子學領域有一定的應用潛力，因為它顯示出可調控的磁性和自旋特性。它還可能用于存儲...

銀銦磷硒晶體，AgInP2Se6AgInP2Se6是一種二維層狀結構材料，具有優(yōu)異的非線性光學性能，這使得它在光電子學中具有潛在的應用價值，尤其是在光學調制器、...

碲化銀晶體 Ag2Te碲化銀化學式Ag2Te。分子量 343.34?；疑⒎较稻w或粉末。熔點955℃，相對密度8.5。制法：在高溫下（以使過剩的碲揮發(fā)）和氫氣...

CoBi4Se7晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研，不能用于人體

CoBi4Te7晶體，磁性拓撲絕緣體合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研，不能用于人體

CoBi2Te4晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：僅用于科研，不能用于人體

Co2Bi2Te5晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研，不能用于人體

CdPS3晶體，拓撲材料晶體大?。?～10 mm純度：99%表征方法：EDS，SEM，Raman禁帶寬度：1.7eV用途：僅用于科研，不能用于人體

BiSe晶體，拓撲絕緣體合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：僅用于科研，不能用于人體

Bi4Pb7Se13晶體，拓撲絕緣體禁帶寬度：0.94eV合成方法：CVT晶體結構：monoclinic剝離難易程度：中用途：僅用于科研，不能用于人體

碲化鉍晶體，Bi2Te3Crystal碲化鉍是一種窄帶隙半導體材料，由鉍和碲元素組成。這種材料使其在紅外波段具有較高的光電轉換效率，因此在紅外探測和傳感領域有很...