九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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渦流法電阻率測(cè)試儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蘇州市

更新時(shí)間:2025-01-16 13:16:51瀏覽次數(shù):482次

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渦流法電阻率測(cè)試儀的樣品尺寸:2“-8“或者16mm×16mm的方形樣品;遷移率測(cè)量范圍:100-20000(cm2/v.sec);方塊電阻測(cè)量范圍:100-3000(ohm/sq);載流子面密度測(cè)量范圍:1E11-1E14(cm-2);

渦流法電阻率測(cè)試儀特點(diǎn):

樣品尺寸:2"-8"或者16mm×16mm的方形樣品;

遷移率測(cè)量范圍:100-20000(cm2/v.sec);

方塊電阻測(cè)量范圍:100-3000(ohm/sq);

載流子面密度測(cè)量范圍:1E11-1E14(cm-2);

電磁鐵磁場(chǎng)強(qiáng)度:1.0T

探頭線圈直徑:15mm

專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開發(fā)和生產(chǎn),攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù),為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控,提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率(霍爾)測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀。

電阻有一個(gè)特性,即任意大小的正方形測(cè)量值都是一樣的,不管邊長(zhǎng)是1米還是0.1米,它們的方阻都是一樣,這樣方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān),表征膜層致密性,同時(shí)表征對(duì)熱紅外光譜的透過(guò)能力,方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈大,則隔離熱紅外性能越差,方塊電阻測(cè)量數(shù)值愈小則隔離熱紅外性能越好,對(duì)于建筑行業(yè)來(lái)講低輻射玻璃的熱紅外性能測(cè)量的快速測(cè)量就必須選用方塊電阻測(cè)量?jī)x,測(cè)量值愈小則建筑材料就愈節(jié)能,在建筑材料行業(yè)具有很大的作用。

渦流法電阻率測(cè)試儀技術(shù)參數(shù):

參數(shù)方阻(電阻率)(厚度 約125μm)

8- 2500Ω/sq(0.1-30 Ω?cm)可擴(kuò)展到100Ω?cm
探頭性能動(dòng)態(tài)重復(fù)性靜態(tài)重復(fù)性示值誤差
測(cè)試條件:采樣率 250SPS(4ms),60個(gè)點(diǎn)/每次
008-160Ω/sq(0.1- 2 Ω?cm)<0.3%<0.05%≤±3%
160-800Ω/sq(2 - 10 Ω?cm)<0.5%<0.1%≤±3%
800-2500Ω/sq(10 - 30 Ω?cm)<0.5 %<0.2%≤±3%
外形尺寸上探頭:Ф20×145mm下探頭:Ф20×100mm控制盒:173×130×55mm
信號(hào)采集采樣率:≤1ms,采集數(shù)據(jù)>300點(diǎn)
數(shù)據(jù)接口:RS232,RS485 CAN TCP/IP
傳輸協(xié)議:Modbus Rtu/Modbus Tcp、用戶自定義 SOCKET 協(xié)議等
自動(dòng)溫度補(bǔ)償系統(tǒng)
原始信號(hào)可公開
參數(shù)PN
外形尺寸Ф25*99mm
電阻率范圍樣品電阻率范圍:0.02-3000Ω?cm
信號(hào)采集采樣率:60sps-1000sps(1ms-16ms/點(diǎn)),默認(rèn)4ms
采樣數(shù)據(jù):**200個(gè)點(diǎn),默認(rèn)100點(diǎn)
光源特性理論壽命> 10年
頻率可調(diào):1KHz - 100KHz,可避免機(jī)臺(tái)同頻干擾

PN測(cè)試原理

用能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬度的單色光照射在半導(dǎo)體材料表面,在其內(nèi)部產(chǎn)生電子-空穴對(duì),受濃度梯度驅(qū)動(dòng)擴(kuò)散至半導(dǎo)

體材料近表面空間電荷區(qū)的電子和空穴將被自建電場(chǎng)分離,形成光生電壓,即表面光電壓。

渦流法電阻率測(cè)試儀

N型和P型半導(dǎo)體材料在光誘導(dǎo)下,表面勢(shì)壘高度的變化過(guò)程

與進(jìn)口儀器相關(guān)性及重復(fù)性對(duì)比(來(lái)源于客戶測(cè)試)
電阻率探頭——相關(guān)性系數(shù)R2=0.9996

渦流法電阻率測(cè)試儀

電阻率探頭——穩(wěn)定性


樣片1樣片2

進(jìn)口***九域進(jìn)口***九域
No.AveMaxMinAveMaxMinAveMaxMinAveMaxMin
10.3760.3850.3120.3750.3830.3180.640.6480.5420.6360.6430.547
20.3770.3860.3110.3750.3830.3170.640.6490.5410.6360.6430.546
30.3760.3860.3110.3750.3840.3180.6410.6470.5410.6340.6420.546
40.3780.3860.3140.3760.3840.3190.6420.6420.5420.6350.6460.542
50.3770.3850.3140.3750.3830.3160.6390.6470.5450.6350.6440.545
60.3760.3820.3150.3750.3830.3180.640.6490.5420.6360.6450.545
70.3780.3840.3110.3750.3830.3170.6420.6480.5430.6360.6440.545
80.3780.3840.3110.3750.3840.3160.6410.6480.5410.6350.6440.544
90.3770.3820.3130.3750.3840.3180.640.6470.5420.6350.6430.546
100.3760.3830.3130.3760.3840.3180.6410.6480.5450.6350.6450.544
Rsd0.23%0.41%0.48%0.11%0.14%0.31%0.15%0.31%0.28%0.11%0.19%0.26%
%


0.00%0.26%1.60%


-0.94%-0.46%-0.18%

樣片3樣片4

進(jìn)口***九域進(jìn)口***九域
No.AveMaxMinAveMaxMinAveMaxMinAveMaxMin
11.2511.2850.9721.261.2710.9652.0052.0111.6891.9922.0021.666
21.251.2780.9711.2571.2720.9682.0062.0111.6871.9922.0011.654
31.2511.2770.9691.2561.2710.9672.0012.0081.6981.9932.0031.653
41.2481.2870.9661.2581.2680.9682.0022.0151.6881.9912.0051.655
51.2471.2830.9641.2581.2740.9622.0062.0181.6871.9922.0021.665
61.2521.2810.9631.2581.2740.9622.0042.0191.6851.9972.0011.653
71.251.2820.9621.2591.2710.9652.0082.0211.6971.9922.0091.653
81.2521.2820.9641.2571.2720.962.0082.0351.6831.9982.011.658
91.2521.2840.9681.2561.2740.9662.0092.0211.6821.9962.011.655
101.2531.2770.971.2551.2710.9652.0042.0221.6851.9922.0081.659
Rsd0.15%0.27%0.37%0.12%0.15%0.28%0.13%0.38%0.32%0.13%0.19%0.30%
%


0.16%-0.47%-0.52%


-0.60%-0.69%-1.54%

光伏探頭——穩(wěn)定性(該產(chǎn)品在光伏領(lǐng)域已成功上市,穩(wěn)定測(cè)試超過(guò)20億片)

高值樣品九域測(cè)試結(jié)果

渦流法電阻率測(cè)試儀


出廠檢測(cè)報(bào)告

渦流法電阻率測(cè)試儀



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