1. 產(chǎn)品概述

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。

2. 設(shè)備用途/原理

MARS iCE115 碳化硅外延系統(tǒng)，薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高，具備多層外延能力，氣流場(chǎng)和加熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，工藝性能優(yōu)異，可靠的壓力控制系統(tǒng)，成膜質(zhì)量均一性好。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 4、6 英寸，適用材料 碳化硅 SiC，適用工藝 N&P 碳化硅外延，適用域 科研、化合物半導(dǎo)體。?碳化硅外延系統(tǒng)的工作原理主要依賴(lài)于化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。?這一技術(shù)通過(guò)載氣將反應(yīng)氣體輸送到反應(yīng)室內(nèi)，在一定的溫度和壓力條件下，反應(yīng)氣體分解并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成中間化合物擴(kuò)散到碳化硅襯底表面，從而生長(zhǎng)出外延層。這種外延生長(zhǎng)技術(shù)能夠有效地控制摻雜濃度和薄膜厚度，以滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，同時(shí)減少襯底中的缺陷，提高器件良率。反應(yīng)室內(nèi)的氣流場(chǎng)和溫度場(chǎng)對(duì)碳化硅外延生長(zhǎng)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懲庋訉拥馁|(zhì)量和均勻性。