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當(dāng)前位置：深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>5 刻蝕設(shè)備>> RIE-400iPB深硅刻蝕設(shè)備
| 參 考 價: | 面議 |
產(chǎn)品型號RIE-400iPB
品牌SAMCO
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地國外
更新時間：2024-09-04 17:12:01瀏覽次數(shù)：269次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)1. 產(chǎn)品概述
RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設(shè)備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是為研究和開發(fā)目的而改裝的。該系統(tǒng)由Robert Bosch GmbH（德國）授權(quán)，能夠?qū)EMS和TSV所需的硅進(jìn)行高速和高各向異性蝕刻。
2. 設(shè)備用途/原理
MEMS的制造（加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等），μTAS等醫(yī)療設(shè)備的加工。
3. 設(shè)備特點
可以實現(xiàn)高速硅深孔加工，它具有的等離子體源和反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，支持博世工藝，可實現(xiàn)硅的快速深鉆。保持速度，減少扇形，通過高速切換氣體，可以在保持蝕刻速度的同時減少扇形?？梢赃M(jìn)行SiO?的蝕刻，可以通過更換用ICP線圈來處理SiO?。
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